Grazie a tutti per le risposte.
Provo a rimettere un pò in ordine le mie idee.
La tensione in ingresso è in Veff o Vpp ?
la tensione è in Vp.
E' l' escursione minima del segnale in uscita?
L'uscita di potenza è su un carico? Quale: 8,16,32, 600 ohm ?
vuol dire che a fronte di una sinusoide di ingresso a 1mV devo ottenere in uscita una sinusoidi con ampiezza minima di 100mV.
Il carico è di 100ohm
La questione della distorsione in frequenza la lascio un attimo da parte perché potrei avere sbagliato qualche impostazione sul simulatore (uso orCAD PSIPCE).
Riporta lo schema di massima di tutto l'amplificatore.
Questo è lo schema che ho pensato di utilizzare.
Ho fatto delle altre prove aumentando la tensione di overdrive a 2 volt per ogni MOS, inoltre ho provato ad utilizzare uno schema di amplificazione con generatore di corrente al drain in parallelo alla resistenza di drain.
Ho scelto una corrente di 55 uA cosi da utilizzare un generatore da 50 uA e massimizzare il valore delle resistenza così da massimizzare il guadagno. Con due stadi di questo tipo ottengo dei valori ottimi di guadagno (anche superiori a 100), ma nel momento in cui considero i MOS reali con r0 finita il guadagno crolla.
Ora stavo pensando ad uno stadio solo polarizzato in modo da avere una tensione di bias in uscita vicina a 0 così da poter inserire una resistenza di retroazione e avere una massa virtuale al gate.