Ciao.
Allora, facciamo un po' di chiarezza. Il MOSFET può essere usato come "interruttore" nel senso che "offre un cammino a bassa resistenza fra il terminale di Drain e il terminale di Source", in determinate condizioni di polarizzazione.
La grandezza di pilotaggio del MOSFET è la tensione Gate-Source, o Vgs. Per tensioni Vgs > Vt (dove chiamiamo Vt "tensione di soglia") il MOSFET è acceso, ed il comportamento ai terminali Drain-Source è specificato nei datasheet.
Tieni conto che la tensione di soglia si aggira sui 3 - 4 V, quindi per ottenere una piena accensione dovrai sfruttare la massima tensione che il circuito di pilotaggio riuscirà a fornire. Solitamente con una decina di volt (o i 12 V canonici) puoi considerare il MOSFET come "acceso". La tensione Vgs massima si attesta sui 20 V per i mosfet di potenza, dopodiché puoi dire addio al dielettrico.
MOSFET "acceso": questo significa che una tensione positiva applicata al Drain rispetto al Source vedrà una resistenza molto ridotta (< 1 ohm!).
Attenzione a non invertire la polarità della tensione applicata al Drain: il diodo integrato nel MOSFET, posto fra il Drain e il Source, causerebbe un corto circuito secco ed incontrollabile.
La resistenza in serie al teminale di Gate serve a smorzare eventuali oscillazioni introdotte dalla risonanza fra le capacità e le induttanze parassite interne al MOSFET; una eventuale autooscillazione potrebbe provocare il decesso istantaneo del MOSFET.
Tipicamente le resistenze di Gate spaziano dai 10 ai 100 ohm; il calcolo esatto del valore ottimale è discretamente "difficile" per essere riportato, e richiede la conoscenza delle caratteristiche precise del MOSFET, nonché dei circuiti di pilotaggio e del carico.
Se invece lavoriamo con transistor BJT, la situazione cambia radicalmente, e la resistenza di Base va dimensionata in funzione della corrente richiesta al Collettore, in funzione delle caratteristiche del transistor.
in pratica so che questi possono fare da interruttore ON/OFF alimentando la base con una certa resistenza, oppure aumentando il valore della resistenza magari con un potenziometro si ottiene un regolatore di tensione.
Variando la resistenza non cambia molto, in un MOSFET. Ricorda che la resistenza in serie al Gate, a regime, non è percorsa da corrente, pertanto il suo valore è "teoricamente" ininfluente ai fini della tensione Vgs, sempre a regime.
Se invece parliamo di transistor BJT, allora torniamo al discorso precedente: la resistenza di Base è percorsa da corrente, quindi si avrà una caduta di tensione calcolabile, etc, etc, etc...
Se ci spieghi che progetto avevi in mente di realizzare, possiamo dimensionarlo insieme!
P.S: Solo ora vedo che Bluettino ha risposto prima di me. Ottime osservazioni, avevo scordato la considerazione sulla resistenza "cautelativa" fra Gate e Source.
Carini i link!