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Ciao a tutti.

Scrivo per chiedere lumi su un dubbio (forse immotivato, ma non lo so) sugli effetti che la corrente nel substrato di un amplificatore operazionale monolitico, specie se modulata dal suo transistor di uscita inferiore, può provocare sulle prestazioni generali dell'operazionale stesso e in particolare sulle sue distorsioni. QUesti effetti sono una possibilità reale o mi sto sognando tutto?

Ciao e grazie per ogni chiarimento!

Piercarlo

Nel BJT integrato si viene a formare un parassita PNP fra B, C e substrato che e' di tipo P.
Nei circuiti lineari, l'NPN lavora in regione attiva per cui VB<VC e quindi il parassita e' interdetto.
Diverso e' il comportamento del parassita se il BJT integrato lavora in saturazione; in questo caso si ha Vcesat=0,2-0,3 V e Vbesat=0,8 V per cui il parassita e' pol. direttamente ed essendo il suo C(substrato) connesso al potenziale piu' negativo del circuito, il parassita conduce.
Si ovvia, diminuendo l'hFE del parassita, eseguendo una diffusione di oro nella parte inferiore del substrato, che riduce il tempo di vita delle cariche minoritarie.

Ti ringrazio. Ma quello che volevo sapere era un'altra cosa e cioè se le variazioni di intensità di corrente nel substrato (che negli operazionali monolitici corrisponde alla tensione Vee negativa) può peggiorare la linearità di comportamento del resto del circuito che, per così dire, "galleggia" per costruzione sul substrato.