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R_out per amplificatore a Drain Comune

MessaggioInviato: 12 lug 2011, 12:47
da Vik
Salve a tutti!
perché in analisi ac, a piccolo segnale, per trovare il valore della resistennza di uscita in caso di mosfet a drain comune devo utilizzare un generatore di prova e quindi ottenere R_o_u_t=\frac{v_p}{i_p}?

Grazie

Re: R_out per amplificatore a Drain Comune

MessaggioInviato: 13 lug 2011, 15:08
da mmarcoo
Ciao,
in realtà la misura della resistenza prevede l'inserimento di un generatore di prova, nel caso del source comune, ad esempio, visto che passivi l'ingresso, valuti "ad occhio" la resistenza di uscita (la Vgs va a zero e quindi non hai un elemento attivo in uscita che modifichi le correnti in gioco), ma avresti lo stesso risultato se introducessi un generatore di prova e facessi i calcoli. Nel drain comune, invece, la presenza di un elemento attivo in uscita fa si che la valutazione "ad occhio" non sia possibile...a meno che il tuo occhio non sia molto buono...:-). Passivando l'ingresso, infatti, continui ad avere un generatore controllato in uscita che ti rompe le scatole generando corrente.

Ciao

Re: R_out per amplificatore a Drain Comune

MessaggioInviato: 14 lug 2011, 19:09
da belva87
Il metodo da te descritto è valido SEMPRE... quindi procedi così che vai bene!! La spiegazione precedente mi sembra abbastanza valida e corretta, se non ci sei facci sapere O_/

Re: R_out per amplificatore a Drain Comune

MessaggioInviato: 14 lug 2011, 22:56
da Vik
Grazie a tutti e due!
La spiegazione mi sembra piuttosto chiara e conforta la regola che avevo "scoperto" facendo gli esercizi cioè che nel source comune la R_o_u_t in pratica è sempre la R_D cioè la resistenza sul drain o tuttalpiù il parallelo con la resistenza di carico.

Grazie

Re: R_out per amplificatore a Drain Comune

MessaggioInviato: 15 lug 2011, 7:20
da IsidoroKZ
Mentre la resistenza guardando dentro al source vale \frac{1}{g_m}.

Se hai la modulazione della lunghezza di canale (parametro [user]\lambda[/user] oltre a resistenza di drain e carico, devi mettere in parallelo anche la resistenza di uscita interna al MOS.