Porta NAND con BJT
Ciao a tutti!
Ho il seguente schema che dovrebbe essere quello di una porta NOT realizzata con BJT.
Il problema è che proprio non riesco a capirne il funzionamento. Premetto che Q1 è un BJT con tre emettitori e che ad ogni emettitore è applicato un ingresso (nell'esempio sono tre).
Allora, se almeno un ingresso è a 0 logico (0.2 V), considerando la giunzione BE di Q1 a 0.7V, si ha che la sua base è a 0.9V. Solo che non conosco il potenziale del collettore in questo caso e quindi non posso dire se Q1 è interdetto, saturo o in zona attiva diretta (e quindi non posso continuare l'analisi)!
Analogamente se gli ingressi sono tutt'e tre a 1 logico (5V) ho la base a 5.7V ma non conosco la tensione di collettore...
Potreste aiutarmi voi ad uscirne?
Grazie in anticipo
Giulio
Ho il seguente schema che dovrebbe essere quello di una porta NOT realizzata con BJT.
Il problema è che proprio non riesco a capirne il funzionamento. Premetto che Q1 è un BJT con tre emettitori e che ad ogni emettitore è applicato un ingresso (nell'esempio sono tre).
Allora, se almeno un ingresso è a 0 logico (0.2 V), considerando la giunzione BE di Q1 a 0.7V, si ha che la sua base è a 0.9V. Solo che non conosco il potenziale del collettore in questo caso e quindi non posso dire se Q1 è interdetto, saturo o in zona attiva diretta (e quindi non posso continuare l'analisi)!
Analogamente se gli ingressi sono tutt'e tre a 1 logico (5V) ho la base a 5.7V ma non conosco la tensione di collettore...
Potreste aiutarmi voi ad uscirne?
Grazie in anticipo
Giulio
