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Porta NAND con BJT

MessaggioInviato: 21 set 2011, 10:11
da giuggiolo
Ciao a tutti!

Ho il seguente schema che dovrebbe essere quello di una porta NOT realizzata con BJT.



Il problema è che proprio non riesco a capirne il funzionamento. Premetto che Q1 è un BJT con tre emettitori e che ad ogni emettitore è applicato un ingresso (nell'esempio sono tre).


Allora, se almeno un ingresso è a 0 logico (0.2 V), considerando la giunzione BE di Q1 a 0.7V, si ha che la sua base è a 0.9V. Solo che non conosco il potenziale del collettore in questo caso e quindi non posso dire se Q1 è interdetto, saturo o in zona attiva diretta (e quindi non posso continuare l'analisi)!

Analogamente se gli ingressi sono tutt'e tre a 1 logico (5V) ho la base a 5.7V ma non conosco la tensione di collettore...

Potreste aiutarmi voi ad uscirne?

Grazie in anticipo
Giulio

Re: Porta NAND con BJT

MessaggioInviato: 21 set 2011, 13:29
da giorgio25760
Allora vediamo un po' :

- se i 3 emitter di Q1 sono a 0 volt, Q1 polarizzato da R1 va a portare la base di Q2 a massa.
- in queste condizioni Q2 sarà sicuramente interdetto
- stessa cosa vale anche per Q3 perché R4 gli tiene la base a massa
- in uscita avremo la tensione di alimentazione dovuta al pull-up di R3

- se i 3 emitter di Q1 sono a 5 V (oppure non connessi) R1 attraverso la giunzione B-C (che si comporta da diodo) andrà a polarizzare Q2
- Q2 fornendo tensione a Q3 gli fara cortocircuitare R3 a massa
- in uscita avremo 0 volt

Ciao
Giorgio

Re: Porta NAND con BJT

MessaggioInviato: 21 set 2011, 18:55
da IsidoroKZ
Per verificare lo stato di saturazione/interdizione di un transistor, puoi anche controllare il rapporto corrente di collettore diviso per corrente di base: se e` meno del beta del transistore, questo e` in saturazione.

Quando uno degli ingressi e` basso, si ha una corrente di base di Q1 data da R1 (ordine di grandezza 1mA, anche se non hai messo i valori). La corrente di collettore di Q1 e` praticamente nulla, dalla base di un NPN si tira fuori al massimo qualche corrente di saturazione inversa, e questo vuol dire che il rapporto delle correnti IC/IB di Q1 e` bassissimo, e il transistore e` in saturazione.

E dato che stiamo cercando di cavare fuori corrente dalla base di un NPN, questo e` interdetto.

Osservazione en passant: se il circuito e` alimentato fra 0V e 5V, in condizioni statiche non ci potra` MAI essere una tensione di 5.7V. Stai usando un modello al di fuori del suo campo di validita`.

Re: Porta NAND con BJT

MessaggioInviato: 22 set 2011, 12:53
da giuggiolo
Ok, mi è tutto chiaro. Grazie tante per la disponibilità :)