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Ciao a tutti, in un precedente post un utente mi ha aiutato a capire come usare i transistor per controllare un semplice led.
Oggi volevo controllare l'accensione un relè e prima di creare danni volevo una conferma da voi per una maggiore sicurezza.

I componenti che vorrei usare sono:
bc546b
un relè da 12V dove la resistenza della bobina e di 500 ohm

Lo schema che ho disegnato è:


Nello schema Rl rappresenta la resistenza della bobina del relè, Rb la resistenza sulla base, Vdd pari a 12V e Vbb pari a 5v.

I miei calcoli sono:

il(corrente che scorre nella bobina)=(Vdd-Vce)/500
il=(12-0.6)500=0.0228

ib(corrente di base)=il/Hfe

ib=0.0228/180=0.000126

Calcolo Rb:

Vbb=Vrb+Vbe
Rb=(Vbb-Vbe)/ib=33571ohm che approssimo con una resistenza da 30Kohm

Credo di aver fatto i calcoli in modo corretto, mi piacerebbe avere una conferma.

L' in staurazione è molto più basso, considera un valore di 50 e vivi felice.
Poi sarebbe meglio metterci una resistenza fra la base e massa. Questa resistenza è indispensabile se usi l' uscita di un micro per pilotare il relè perché all' accensione i pin dei micro sono configurati come ingressi e quindi la base rimarrebbe flottante. La resistenza assicura che abbia un riferimento verso massa.
Se poi non vuoi uccidere il transistor devi mettere in antiparallelo alla bobina un diodo di ricircolo.

Si i calcoli sono corretti, ma l'assunzione di Hfe
mi sembra non applicabile al problema.
Usato come interruttore, il transistor va saturato
il più possibile (in modo anche di diminuirne la
dissipazione): consiglierei pertanto una resistenza
di base di 4.7K.
Altro consiglio è quello di mettere un diodo (es. 1N4007)
in antiparallelo alla bobina del relè, per proteggere il
transistor dalle sovratensioni induttive generate da questo.

Ok, grazie.
Una domandina...
Nei datashet avevo diversi valori per l'Hfe e poiché mi avete fatto notare che il valore che ho scelto non è adeguato, secondo quali criteri devo scegliere quello piu adatto al caso??
Inoltre la resistenza fra base e massa ne va bene anche una piccola in modo da assicurare che in assenza di tensione la base sia a massa e quindi che non conduca??
Grazie

Di solito per transistori piccolini il costruttore suggerisce "fra le righe" di usare un beta forzato da 5 a 20 per saturare bene il transistore. Ad esempio per il bc547, data sheet suggerisce un beta forzato di 20. Dal data sheet ON-SEMI:



Il rapporto

Se non si fosse capito a me i parametri h proprio non piacciono!