ElectroYou

Salve a tutti :) qualcuno saprebbe dirmi cos'è il bias stress nei OTFT (organic thin-film transistor)?
Grazie in anticipo :)

E` la "peste" di quei dispositivi, che ne impedisce l'uso pratico. L'effetto piu` importante e` l'intrappolamento di cariche nell'interfaccia fra dielettrico del gate e semiconduttore. Questa carica, che si accumula durante il funzionamento, sposta la tensione di soglia del dispositivo. Anche i primi MOS di silicio mi pare avessero lo stesso problema.

Allora innanzitutto grazie x la risposta ,volevo però alcuni chiarimenti se possibile...
Innanzitutto hai detto (ti do del tu se non ti dispiace ) "ne impedisce l'uso pratico",cosa intendi con questa espressione? vuol dire che non sono usati in dispositivi "commerciali" e che sono solo oggetto di studio in laboratorio? O.o
Altra cosa l'accumulo di carica "sposta la tensione di soglia del dispositivo" facendo in modo che si accenda o si spenga con + difficoltà?

I transistori organici sono per il momento una curiosita` di laboratorio. Il bias stress comincia ad agire dopo pochi minuti, i piu` longevi (si parla di giorni) hanno una mobilita` bassissima e sono praticamente inutili dal punto di vista circuitale, oltre ad essere facilmente contaminabili all'aria e cambiare le loro caratteristiche quando sono illuminati (ma questo non e` un grosso guaio).

Sono comunque dei "MOS" di tipo P a canale preformato che lavorano per lo piu` ad arricchimento. Lo stress di solito alza la tensione di soglia.

Al momento le tensioni di lavoro e controllo di questi dispositivi sono elevate, si parla di decine di volt, per ottenere correnti di canale dell'ordine dei microampere, quindi ancora un po' lontani dall'applicazione pratica. Oltre a tutto il resto hanno anche un'isteresi sul controllo

Grazie 1000 anche se in ritardo