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Salve a tutti voi dl forum, vi scrivo per capire perché negli stadi PFC di potenza elevata si impiegano IGBT al posto dei MOSFET. Qualcuno sai spiegarmi le motivazioni oppure linkare del materiale o consigliare qualche libro? Grazie in anticipo, Luca.

Su questo argomento sarebbe inutile dire cosa si pensa; interrogare direttamente IsidoroKZ o chi ha competenze equivalenti e se la sente di rispondere.

Ok, colgo al volo il tuo consiglio ma, come posso farlo? non risulterei invadente? comunque credo che lo scambio di opinioni anche in argomenti così tecnici e delicati sia una parte da non sottovalutare.

questo risponde bene alle tue domande

http://www.irf.com/technical-info/white ... wisely.pdf

essenzialmente alte potenze = alte tensioni e i mosfet non ci vanno molto d'accordo.

Ci sono vari aspetti.
Tensione: il MosFET non arriva alle stesse tensioni a cui arrivano gli IGBT.
Powerloss: gli IGBT presentano la stessa caratteristica dei transistor quindi hanno una Vce-sat ben specifica che varia si in funzione della corrente ma molto poco. Per applicazioni ad alta corrente l'IGBT dissipera meno in conduzione rispetto al MosFET che, avendo invece un parametro di RDS-on, avrà una tensione VDS-on molto variabile in funzione della corrente.
Costo: il processo di produzione degli IGBT costa meno.

La scelta va fatta in funzione sia delle correnti e tensioni in gioco ma anche e soprattutto delle frequenza di lavoro. Gli IGBT commutano molto più lentamente quindi perdono di più in commutazione (zona lineare) rispetto ai MosFET e sono quindi adatti per applicazioni a bassa frequenza (<20Khz). Ci sono per la verità IGBT adatti anche a frequenze di commutazione più alte ma comunque sempra al di sotto dei 100Khz.

Quindi, se commuti sotto i 20Khz e lavori con tensioni elevate (monofase o concatenata raddrizzate) la miglior scelta è sicuramente l'IGBT (come infatti viene fatto negli inverter per motori), anche perché i MosFET con Vds elevata 500/600V presentano una RDS molto più alta che con Vds <100V.... Ci sono anche MosFET con 500/600V di Vds e con RDS molto basse (<10mohm) ma costano parecchio di più rispetto al migliore degli IGBT adatto per la stessa applicazione.