ElectroYou

Ciao a tutti,

qualcuno di voi ha qualche link utile o dritta particolare per la progettazione di un Gate Driver alta tensione (500VDC) con almeno 8/10A di picco in uscita ?
Vi spiego il problema.
Attualmente sto pilotando un full bridge con 3 MosFET per ramo (12 MosFET in tutto), a 40Khz, utilizzando un gate driver monolitico (questo qui della Silabs ==> SI8234) che eroga 2A in source e 4A in sink. I MosFET per quanto li scelga con Qg la più bassa possibile devo pur sempre tirare almeno 20A di Id cadauno e più di tanto con il Qg non riesco a scendere. Sto utilizzando quindi i Gate driver al limite della loro corrente (14V e 22ohm di Rgate per MOS) e nonostante questo ho delle commutazioni lentissime (sono sui 200/300nSec in rise e 400/500nSec in fall).
Il tutto funziona ma ovviamente i MOS scaldano non tando per la RDS quanto per le perdite in commutazione.

Avevo quindi intenzione di fare una revisione nuova del driver ma senza più usare integrati monolitici ma a discreti, usando dei buffer e facendo gestire il deadtime al micro (attualmente è gestito dagli Si8234).
Un'idea generale di come farlo ce l'ho ma volevo chiedere se avete qualche lettura interessante da propormi o se avete qualche dritta particolare.

Intanto lavoro su uno schema di massima e poi posto qualcosa.
Grazie per l'aiuto.
Max

Io terrei il driver isolato integrato che hai, che ti risolve tutti i problemi di bootstrap ed isolamento, e amplificherei in corrente l'uscita....
una di queste due soluzioni, ampli singolo o individuale

magari con uno di questi dual MOS integrati o con quello che ti pare

Grazie Carlo.
Avevo pensato a una cosa così ma utilizzare sia il gate driver che il buffer esterno mi dava un po l'idea di un lavoro arrabattato: è un po come usare una scarpa e una ciabatta !
Che tu sappia non ci sono controindicazioni ad utilizzare il driver in questo modo ?
La Vds max. della coppia N-P è sufficiente che sia la tenisone del gate driver giusto ?

Ma no, mi sembra un buon lavoro... in fondo anche i gate dei driver hanno bisogno della loro corrente... così anche l'IC ha un perché

Ma soprattutto con la tensione in modo comune che si devono sorbire i driver "di sopra" io non mi metterei a progettare un driver ex-novo...ci sono notevoli problemi da affrontare, l'alta tensione ma sopra tutto un dv/dt da brividi....

Edit: per la VDS non saprei che tensione usi (12V ?) comunque vedi un po' tu e scegliti dei MOS che ti piacciono... quelli che ho linkato sono solo un esempio, sono da 30-40V ma ci sono anche più "bassi" e forse hanno migliori specifiche sulla rdson....

scusate se riesumo questo vecchio post. sto effettuando delle prove con questa configurazione ma il ponte fa cose strane. fino a 25/30v di vbus tutto ok a parte qualche piccola spuria ma appena la tensione sale si generano overvoltage elevatissimi e le commutazioni sono sporche tanto che si fa spesso fatica a triggerarle.
leggendo in rete un po di letteratura mi sono imbattuto in parecchi circuiti che utilizzano il totem pole con MOS P e N ma al contrario rispetto allo schema di Carlo e a come in effetti avrei fatto anch'io. in pratica il P channel lo mettono sopra e il N channel sotto.
sapete dirmi come mai e quali differenze pratiche ci sono a parte l'inversione delle polarità logica del segnale?
grazie