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Salve a tutti.
dovrei polarizzare un BJT q2n2222.
Questo è lo schema:


io ho fatto cosi:
ho imposto
Icq= 1mA, Vcc= 24 V, Vceq= 10 V Rs =600 ohm
poi ho incominciato a calcolarmi le varie resistenze in questo modo:
Vre ≈ Vcc/10 = 2.4 V
Re ≈ Vre/Icq = 2.4 kohm
Rb ≈ 10*Re = 24 kohm
Vb =Vre+ Vbeq = 2.4 V + 0,7 V = 3.1 V
Ibq= Icq/Hfe =10 uA
Ir1 ≈ Ir2 ≈ 40*Ibq = 400 uA
R1 = (Vcc-Vb)/Ir1 = 52.25 kohm
R2 = Vb/Ir2 = 7.750 kohm
Rc = (Vcc - Vceq - Vre)/Icq = 11.6 kohm
Per quanto concerne Ir1 e Ir2 ho supposto che siano molto maggiori di Ibq, ho letto ke devono essere maggiori da un minimo di 10 ad un max di 100 volte rispetto a Ibq, io ho scelto 40!
Vorrei sapere se questo procedimento e corretto oppure no?

Per quanto riguarda il dimensionamento delle Capacità ho fatto cosi:

nel datasheet http://www.datasheetcatalog.org/datashe ... Xyzzyw.pdf ho trovato che Ihe per icq = 1mA e per vce = 10 V ha un minimo che vale 2Kohm e un max che vale 8 kohm, io ho preso (2 + 8)/2 = 5 kohm
quindi
Hie = 5Kohm.
poi ho calcolato le resistenze equivalenti:

RCA1 = Rs +(R1 // R2)//Hie = 3.472 kohm
RCA2 = Re // (Hie + (Rs//(R1//R2)))/(1 + Hfe) = 53.73 ohm
La capacità "dominante" è RCA2 quindi supponendo che la frequenza di taglio bassa sia Fl = 20 Hz
CA2 = 1/ (2*PI*Fl* RCA2) = 148 uf
CA1 = 10/ (2*PI*Fl* RCA1) = 22,91 uf
E' giusto il procedimento?
grazie a tutti

matxx ha scritto:Vorrei sapere se questo procedimento e corretto oppure no?

Si` e` giusto. Non ho solo capito chi e` Rb pari a 10 volte Re.

Devi poi normalizzare i valori delle resistenze: ad esempio Rc=12kohm e analogamente per le R1 e R2.

matxx ha scritto:Per quanto riguarda il dimensionamento delle Capacità ho fatto cosi:
...
E' giusto il procedimento?

Si` ragionevolmente giusto, anche se non sarei troppo attaccato ai parametri h.

La resistenza vista guardando dentro l'emettitore del transistor e` l'impedenza collegata sulla base, piu` rpi (in pratica hie) diviso per beta+1.

Ora capita che rpi*gm=beta da cui rpi/(beta+1) e` praticamente 1/gm=Vt/Ic e quindi non servono i conti su hie (almeno qui).
L'impedenza vista dall'emettitore e` quindi praticamentel'impedenza di sorgente (in parallelo al partitore di base) divisa per beta+1+26ohm circa. E qui serve il beta massimo, se vuoi stimare il caso peggiore. In questo conto si suppone che il condensatore di ingresso sia gia` chiuso.

Invece per il condensatore di ingresso serve la hie minima, o meglio rpi minima che continua ad essere Vt*beta/Icq e devi usare il beta minimo.

Dove, che cosa e su che libro studi?

IsidoroKZ ha scritto:

matxx ha scritto:Si` e` giusto. Non ho solo capito chi e` Rb pari a 10 volte Re.

Rb è il parallelo di R1 e R2 è lo messo 10 volte Re

Il secondo step è questo:


Ho aggiunto il secondo transistor è in modalità collettore comune o inseguitore di emettitore. ho utilizzato questa configurazione per ottenere un elevato guadagno di corrente, il primo stadio invece l'ho usato per avere un elevato guadagno di tensione.

Per quanto concerne il progetto, V2 deve avere Vcc/2 ossia 12 V. per fare questo ho dimensionato Re2,
Re2= Rc/10 = 1.16K
per la capacità CA2 ho fatto cosi:
Rca2 = RL + Re2 = 1.168 kohm
CA2 = 10/(2*pi*fl*Rca2) = 68uF
questo procedimento di calcolo Re2 e CA2 è corretto ?
Il collettore di TR2 l'ho collegato direttamente a VCC in questo modo risulta a massa virtuale.
nel calcolo di CA2 il 10 al numeratore l'ho messo pke intendo dimensionarle ad una frequenza più bassa di fl in quanto avendo fatto un collegamento diretto tra i 2 transistor, ho pensato che la capacità dominante sia sempre quella calcolata prima (Primo post) ossia quella del primo transistor!. è giusto cm ragionamento ?
grazie