ElectroYou

perché la gm di un FET è piu bassa di quella di un BJT ?
perché in un amplificatore FET occorre che il dispositivo lavori in saturazione?


avrei una vaga idea riguardo al fatto che la Ids non dipende piu dalla vds ma dall vgs ,allo stesso tempo sono molto confuso!

grazie mille a tutti.

La gm di un fet e` bassa perche' il mondo e` cattivo verso gli ingegneri :)

Un motivo fisico semplice non mi viene in mente. Una giustificazione e` che in un transistore bipolare si ha mentre in un MOS si ha e il secondo denominatore e` tipicamente molto piu` grande di .

Conviene far lavorare il transistore ad effetto di campo in zona satura (che nei BJT e` quella che si chiama zona attiva diretta), perche' li` c'e` un ragionevole generatore di corrente. Se si va nella zona ohmica (a triodo, quella sinistra), le curve non sono orizzontali, c'e` una resistenza fra drain e source interna al dispositivo, resistenza di valore piuttosto basso, e questa resistenza si "consuma" dentro al fet la corrente che il generatore pilotato genera. La corrente consumata internamente non va piu` sul carico esterno e quindi e` persa, e l'amplificatore a fet, che amplifica gia` poco per conto suo, in zona a triodo amplifica ancora di meno!

quali possono essere applicazioni tipiche di un Fet, per le sue caratteristiche?

i fet sono dispositivi che vengono usati estensivamente nei circuti analogici e digitali,per le loro caratteristiche risultano facili da fabbricare e occupano meno spazio rispetto ai BJT.

Bisogna vedere che cosa intende l'OP per fet, se il generico transistore a effetto di campo oppure un jfet. Di solito un MOS o mosfet non lo si chiama fet.

Quelli che sono piccoli e facilmente integrabili sono i MOS(fet) non i jfet.

In compenso mi e` venuta in mente una giustificazione per la differenza di gm, ed e` che il BJT ha una caratteristica esponenziale, mentre il fet e` quadratico, e a pari corrente, con dei parametri normali, la pendenza dell'esponenziale e` molto piu` alta di quella di un quadrato. Non e` una spiegazione, e` poco piu` che dire che il mondo e` cattivo con gli ingegneri.

C'è anche da dire che in un BJT la transconduttanza è un parametro che dipende praticamente solo dalla corrente di collettore e ben poco dalle caratteristiche del semiconduttore di cui è composto. Nei jfet, invece, la transconduttanza dovrebbe essere proporzionale alla radice quadrata della mobilità dei portatori (v. anche qui) e quindi dipendente fortemente dalle caratteristiche del semiconduttore di cui è composto (tipo di drogaggio, concentrazione ecc.).

infatti per i BJT la trasconduttanza è direttamente proporzionale alla corrente di collettore,i conti quadrano alla grande siete geniali !!!