ElectroYou

so che rappresenta la tensione di soglia e che dipende dalle caratteristiche costruttive del dispositivo,ma qualè la differenza tra l'una e l'altra? in un caso assume valori positivi e nell'altro negativi?? fatemi capire.
grazie a tutti in anticipo!

Non è che ti riferisci ai transistor n-mos e p-mos?

no so che per nmos deve essere maiore di zero,siccome sto svolgendo i vecchi compiti degli altri anni ,prima di fare l'esame,mi è uscita questa domanda...

Se ho ben intuito stiamo parlando di MOS enhancement=arricchimento (i comuni MOS di cui implicitamente si parla se non si dice niente) e di MOS depletion=svuotamento.

Per fissare le idee parliamo di NMOS:
In entrambi i casi la VTN è la tensione di soglia, anche le equazioni che descrivono il funzionamento sono le stesse, solo che nel caso dei depletion la VTN è minore di zero.

Significa semplicemete che con VGS=0 il MOS è già "acceso" se si vuole interdirlo si deve applicare una VGS<VTN, cioè negativa. Lo stesso funzionamento dei JFET per intenderci. Solo che in questo caso si può anche applicare una VGS>0 per aumentare la conduzione.

Puoi semplicemete pensare di traslare in VGS le caratteristiche.

Ah ecco, non capivo per cosa stessero i prefissi.
Oltre a quanto detto da carloc ti posto il seguente grafico:

Metterei un segno di valore assoluto su ID oppure qualche segno negativo in giro, per far coabitare sia i P che gli N.

con la corrente ID in modulo poiché i versi delle correnti sono opposti (Ho messo dispositivi ad arricchimento nello schema qui sotto) :


A proposito, so che è una domanda scema, ma come si fanno le curve in Fidocadj senza fare tante spezzate?

Bézier !