Esercizio NMOS carratteristica statica e dinamica
Allora ho il seguente esercizio da risolvere, è stato risolto in classe dal professore, ma io avrei dei dubbi e me lo sto rivedendo tutto per capirlo bene, visto che sarà un tipico esercizio dell'esame di Elettronica Digitale. Allora inizio a scrivere l'esercizio con la risoluzione, poi quando ho bisogno di aiuto mi fermo, attendo le risposte e continuo la risoluzione dell'esercizio.
• Calcolare la caratteristica statica e la caratteristica dinamica del seguente circuito:
Allora iniziamo dalla caratteristica statica.
CARATTERISTICA STATICA
Iniziamo considerando
e teniamo conto che il condensatore nel calcolo della caratteristica statica possiamo considerarlo come circuito aperto. Quindi 
Consideriamo le condizioni nelle diverse regioni di lavoro del MOSFET:
--> interdizione
--> triodo o saturazione
In particolare:
-->triodo
--> separazione tra triodo e saturazione
--> saturazione
Nel nostro caso
pertanto il MOSFET è accesso e lavorerà nella regione di triodo o in saturazione, sappiamo che:

Ora per determinare la regione di lavoro dobbiamo calcolare il
. Qui avrei il primo dubbio, il professore ha detto che è evidente guardando il circuito che
è prossimo a
pertanto lavorerà in regione di triodo. Quindi si utilizza il modello del MOSFET nella regione di triodo dove esibisce una resistenza di canale
e questa resistenza può essere calcolata dalla seguente formula:
![IDS = \hat{kN}[2(VGS-VT)VDS - VDS^{2}] IDS = \hat{kN}[2(VGS-VT)VDS - VDS^{2}]](/forum/latexrender/pictures/9ce97e8a26ed3b7d6dd3c80b077db50d.png)
Dal momento che
è molto piccolo il termine
può essere trascurato quindi si può facilmente calcolare
:

Dove:

E il circuito equivalente è il seguente:
E considerando il partitore di tensione si può calcolare
Però non ho capito per quale motivo
è prossimo a zero, se eventualmente vorrei calcolarlo come dovrei procedere?
P.S. La massa in alto a destra non la considerate l'ho messa per sbaglio e me ne sono accorto solamente dopo aver postato il circuito.
• Calcolare la caratteristica statica e la caratteristica dinamica del seguente circuito:
Allora iniziamo dalla caratteristica statica.
CARATTERISTICA STATICA
Iniziamo considerando
e teniamo conto che il condensatore nel calcolo della caratteristica statica possiamo considerarlo come circuito aperto. Quindi 
Consideriamo le condizioni nelle diverse regioni di lavoro del MOSFET:
--> interdizione
--> triodo o saturazioneIn particolare:
-->triodo
--> separazione tra triodo e saturazione
--> saturazioneNel nostro caso
pertanto il MOSFET è accesso e lavorerà nella regione di triodo o in saturazione, sappiamo che:
Ora per determinare la regione di lavoro dobbiamo calcolare il
. Qui avrei il primo dubbio, il professore ha detto che è evidente guardando il circuito che
è prossimo a
pertanto lavorerà in regione di triodo. Quindi si utilizza il modello del MOSFET nella regione di triodo dove esibisce una resistenza di canale
e questa resistenza può essere calcolata dalla seguente formula:![IDS = \hat{kN}[2(VGS-VT)VDS - VDS^{2}] IDS = \hat{kN}[2(VGS-VT)VDS - VDS^{2}]](/forum/latexrender/pictures/9ce97e8a26ed3b7d6dd3c80b077db50d.png)
Dal momento che
è molto piccolo il termine
può essere trascurato quindi si può facilmente calcolare
:
Dove:

E il circuito equivalente è il seguente:
E considerando il partitore di tensione si può calcolare

Però non ho capito per quale motivo
è prossimo a zero, se eventualmente vorrei calcolarlo come dovrei procedere?P.S. La massa in alto a destra non la considerate l'ho messa per sbaglio e me ne sono accorto solamente dopo aver postato il circuito.


è connessa con la polarità sbagliata
è prossimo a 0 pertanto lavorerà in regione di triodo.
ho sbagliato a scriverlo. comunque allora consideriamo l'equazione che descrive
nella regione di triodo:![IDS=\hat{kN}[2(VGS-VT)VDS - VDS^2] IDS=\hat{kN}[2(VGS-VT)VDS - VDS^2]](/forum/latexrender/pictures/252dd7f732f3dfd3c237e2576eb4514f.png)

dovrà essere uguale a
ovvero il valore che mi sono trovato prima ed effettivamente
--> 
--> 
e 


a
da 
![V_O_U_T=V_\infty+[V_0-V_\infty]e^{\frac{-t_H_L}{\tau}} V_O_U_T=V_\infty+[V_0-V_\infty]e^{\frac{-t_H_L}{\tau}}](/forum/latexrender/pictures/f797234389c5a08b690fc7b4415ab336.png)



del 
come unica ingognita e risolviamo ottenendo:




![V_O_U_T=V_\infty+[V_0-V_\infty]e^{\frac{-t_1}{\tau}} V_O_U_T=V_\infty+[V_0-V_\infty]e^{\frac{-t_1}{\tau}}](/forum/latexrender/pictures/987ccb056243398aafc8fd4ee1670add.png)





poi il MOSFET lavorerà nella regione di triodo. Sostituendo il valore di
:

![I_D_S=\hat{k_N}[2(V_G_S-V_T)V_D_S-V_D_S^2] I_D_S=\hat{k_N}[2(V_G_S-V_T)V_D_S-V_D_S^2]](/forum/latexrender/pictures/ebf3ae8e995064da057677f576b1d271.png)
possiamo calcolarci la resitenza di canale:

![V_O_U_T=V_\infty+[V_0-V_\infty]e^{\frac{-t_2}{\tau}} V_O_U_T=V_\infty+[V_0-V_\infty]e^{\frac{-t_2}{\tau}}](/forum/latexrender/pictures/5e545a0bb9a425a0a6c2ece770d0b6e1.png)





siamo in saturazione, da questo punto in poi siamo in regione di triodo fino a 
