Pagina 1 di 1

Esercizio su condensatore MOS

MessaggioInviato: 7 nov 2012, 22:04
da rock85
Un condensatore MOS a canale n (N_{AB} =5\cdot 10^{16} cm^{-3}) presenta al terminale di gate una carica Q_{G}=200\frac{nC}{cm^{2}}. Assumendo nulla la carica intrappolata all’interno dell’ossido, trovare la regione di funzionamento ed il valore della carica di svuotamento immagazzinata nel substrato.

Sono bloccato su questo esercizio.
Avevo pensato di calcolare la concentrazione dei portatori alla superficie del substrato con la formula

p(0)=N_{AB}\cdot e^{\frac{-\phi _{s}}{V_{T}}}

e poi confrontare tale concentrazione con quella del drogante e vedere la regione di funzionamento ,il problema è come calcolarmi la tensione di superficie \phi _{s}.

Re: Esercizio su condensatore MOS

MessaggioInviato: 15 nov 2012, 18:40
da jordan20
Dai una bella lettura qui: http://phobos.iet.unipi.it/~nannini/disp02-4.PDF da pag. 187 a 197.