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Non conosco bene il funzionamento dei mosfet, quindi volevo sapere se per poter essere comandati da un microcontrollore (uscita 5V) devono avere certe caratteristiche.
Ho alcuni IRF3205, con cui volevo fare un regolatore PWM per un motore a 12V, li posso usare?

Oltre a valutare se è un logic level (RDSon bassa con VGS <= 5V - ved. Datasheet i valori di test), devi anche tenere in conto la frequenza di pilotaggio, la dissipazione di potenza del MOSFET ed anche la corrente di source del pin del microcontrollore.

Ciao DADO91, penso proprio che ti convenga cercare dei mosfet logic level, sono dei mosfet costruiti appositamente per essere pilotati dai segnali digitali e ti eviti così la rogna delle soglie di pilotaggio dei mosfet "normali" P.s. Giustamente per sceglierli devi tenere conto di ciò che ha scritto nel frattempo [user]gohan[/user]

@[user]gohan[/user]
Per l'IRF3205 il datasheet (che ho linkato nel primo post) parla di:
Vgs = min: 2V - max: 4V
Rds = 8mOhm (milli non mega )
Per la frequenza che tempi guardo? Turn-On-Time e Turn-Off-Time ?
Per il micro dovrei usare un 12F675, con una corrente erogabile di 25mA per pin di I/O (in totale 125mA su tutti gli I/O).
@claudiocedrone
Avevo visto che esistevano dei mosfet pensati per essere comandati con segnali logici digitali, se non erro sono contrassegnati dalla sigla IRL, è che quei IRF3205 che mensionavo ce li ho già, non mi ricordo dove li ho presi, sono nuovi, quindi prima di comprare qualcosa volevo fare con ciò che avevo.

Ho osservato il datasheet, ma volevo invogliarti ad osservare con attenzione.

Il valore minimo di VGS(th) è solo quel parametro di tensione minimo per accendere il MOSFET, ma non vuol dire che sia ben acceso..

DADO91 ha scritto:Rds = 8mOhm (milli non mega )

Si, con VGS = 10V.. Un logic level è l'IRLZ44N, per esempio.

Se aspetti qualche minuto ti posto qualche link che ti può essere sicuramente utile.

E' proprio ciò che intendevo con "rogna delle soglie di pilotaggio... "

Occhio alla frequenza, alcune caratteristiche sono date per una frequenza minima di 500 Hz (tieni conto che per quell'applicazione in questione devi stare sui 15KHz).

Tieni conto della capacità di gate e inserisci anche una resistenza in serie, transistor per alte correnti hanno canali larghi e delle buone capacità, una corrente impulsiva troppo elevata potrebbe non essere gradita al micro, che mi pare eroghi dalle parti di 25 mA.

Ok, vediamo se riesco a trovare qualche mosfet giusto a giro senza stare a comprarlo....

Il MOS giusto da usare e` un logic level! Oppure usare un driver per MOS, eventualmente isolato, che tutto sommato potrebbe non essere una cattiva idea: se il layout del circuito non e` fatto bene, si rischia di tirare rumore dentro il micro.

marioursino: la resistenza in serie al gate viene messa per evitare le risonanze fra capacita` di ingresso del MOS e induttanza della maglia di gate. Il microcontrollore ha una impedenza di uscita relativamente alta e questa resistenza non serve.

L'effetto della resistenza di gate e` di rallentare la commutazione del MOS, facendolo dissipare di piu`. Nella seconda parte di questo articolo di Ste75, che pero` riguarda i carichi resistivi, si fa vedere come la resistenza di gate influenza la velocita` di commutazione.

La corrente di uscita e` limitata dai MOS dentro al micro, il limite di corrente di I/O a 25 mA e` una limitazione statica, qui siamo in condizioni dinamiche, si carica e scarica un condensatore e l'energia dissipata dal MOS per ciclo e` . Supponendo una capacita` di 5nF fanno 125nJ al ciclo e commutando a 20kHz si ha una dissipazione di 2.5mW.

La resistenza di gate puo` avere un effetto positivo sul micro in quanto riducendo la corrente impulsiva riduce anche eventuali ground bounces, ma questo solo se il layout dell'alimentazione del micro e` fatto male!

Matteo1991: l'indicazione che hai evidenziato (che da` una frequenza di ripetizione di 50Hz) non e` una limitazione di frequenza, il MOS lavora anche in continua! E` solo una condizione di misura scelta per limitare la potenza dissipata e il riscaldamento e ottenere le caratteristiche a silicio freddo.