ElectroYou

Salve,
a cosa sono dovute le capacità parassite presenti in un transistor a tecnologia MOS?
Grazie.

Sono dovute al gate che sporge sopra il drain e il source con in mezzo l'ossido, e poi alla capacita` fra gate e canale, quando questo e` formato.

Che materia stai studiando e su che libro?

Siccome mi ero giocato 2 punti al 30 ad un esame (Prof.ssa Dott.ssa Annalisa Bonfiglio, che saluto ), in quanto le avevo completamente dimenticate, anche le capacita' di diffusione date dalla giunzione PN Drain-Body e Source-Body nonchè Gate-Body in assenza di canale, per quanto siano snobbate o spesso dimenticate, costruttivamente sono la'.
E' molto facile ridurre il loro effetto collegando il Body al potenziale piu' basso (NMOS, a quello piu' alto nei PMOS), in tecnologia integrata CMOS viene fatto in automatico, ma di fatto esistono, e volendo ci si puo' anche giocare di proposito con dei MOS discreti con body in terminale

Sezione di un NMOS (qualitativamente):



Per quanto riguarda le capacita' di sovrapposizione gate-source e gate-drain, in teoria queste sarebbero eliminabili allineando perfettamente il gate sul canale, o diffondendo i source ed i drain di modo da non andare sotto al gate, ma in realta' non è possibile farlo; di contro se facessimo il gate "al pelo", rischieremmo di farlo piu' corto della distanza tra D e S, pregiudicando la formazione del canale, dunque si preferisce avere queste piccole capacita' piuttosto che un malfunzionamento del dispositivo.
In realta' il gate (in genere in silicio policristallino) è proprio usato come maschera per creare le diffusioni che poi diventeranno drain e source, e nella diffusione del drogante inevitabilmente andiamo anche "sotto" al gate (Fick docet).

Le capacita' parassite sono proporzionali alle superfici interessate, nonchè ai materiali, tensioni applicate, e svariate altre cose.
Limitano la banda passante del dispositivo, e a certe frequenze (pure parlando di femto farad) si fanno sentire.

grazie... veramente una risposta completa..