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Vorrei sapere quali sono le differenze fra transistor e fet dal punto di vista puramente applicativo.
So bene che sia i transistor che i fet sono usati come amplificatori di microcorrenti alternate oppure come interruttori. Ma c'è qualche funzione svolta dal fet che il transistor non può svolgere?

Tricka90 ha scritto: ...So bene...

Sicuro ? A me non parrebbe... Scherzi a parte, non è proprio così, una differenza sostanziale di funzionamento tra i BJT e i FET è che i primi si pilotano in corrente e i secondi in tensione, poi entrambi possono lavorare anche in continua (quindi non solo per "piccole correnti alternate" ), nemmeno esatto il "piccole" in quanto ce ne sono di questi dispositivi in grado di funzionare con correnti notevolmente elevate; diciamo che possono essere considerati dei resistori variabili (il loro stesso nome ingloba questa caratteristica; transistor=transfer + resistor, cioè un dispositivo in grado di presentare una resistenza interna apparente variabile)... alla tua domanda, apparentemente semplice e banale sostanzialmente si può rispondere con... decenni di studio

Tricka90 ha scritto:Ma c'è qualche funzione svolta dal fet che il transistor non può svolgere?

Sì, in particolare una che è oggigiorno onnipresente: il BJT non è adatto per costruire logica a basso consumo, in particolare per quanto riguarda la dissipazione di potenza statica. Questa caratteristica è alla base di tutta l'elettronica digitale contemporanea, praticamente. Inoltre i MOSFET sono molto più adatti alla miniaturizzazione.
Comunque, diverse altre sostanziali differenze tra i due dispositivi sono presenti per quanto riguarda l'entità del guadagno, il comportamento ad alte frequenze e ad alte tensioni e/o correnti.

claudiocedrone ha scritto:nemmeno esatto il "piccole" in quanto ce ne sono di questi dispositivi in grado di funzionare con correnti notevolmente elevate

Credo che l'OP intendesse l'uso come amplificatore di piccolo segnale, il che è un altro discorso.

claudiocedrone ha scritto:diciamo che possono essere considerati dei resistori variabili (il loro stesso nome ingloba questa caratteristica; transistor=transfer + resistor, cioè un dispositivo in grado di presentare una resistenza interna apparente variabile)...

Sinceramente questa interpretazione come resistenza variabile non mi piace per nulla. Anche perché la genesi storica del nome è ben diversa (cfr. The Naming of the Transistor): un memo del 1948 indica la parola transistor come una crasi delle parole transconductance e varistor. John Pierce cita invece come origine la parola transresistance, perché quei primi transistor funzionavano come duale delle valvole (transconduttive). Ora però non vale lo stesso discorso per i transistor moderni. Citazione diretta:

Codice: Seleziona tutto

In suggesting the name transistor I thought that if a vacuum tube has transconductance, its dual should have transresistance. I also considered that a number of device namers terminated in the sequence “or,” as conductor, resistor, varistor, thermistor. The name transistor came into my mind. [... ]the point contact transistor’s being the dual of the vacuum tube, which I remember as leading to the name transistor. [...] The reader should note that present-day transistors are not duals of the vacuum tube

In ogni caso, la mia interpretazione semplificativa preferita rimane quella di Horowitz & Hill, nel loro celebre The Art of Electronics: il transistor man. :)

Grazie della precisazione DoeM , per correttezza cito la fonte della interpretazione della parola "transistor" in a mia conoscenza e cioè la sezione "elettronica generale" del "Manuale del perito" ed. Cremonese del 1980, curata dai dott. ingg. Giancarlo Brusa e Romolo Oliva.
(Vatti a fidare degli ingegneri... )

claudiocedrone ha scritto:per correttezza cito la fonte della interpretazione della parola "transistor" in a mia conoscenza e cioè la sezione "elettronica generale" del "Manuale del perito" ed. Cremonese del 1980, curata dai dott. ingg. Giancarlo Brusa e Romolo Oliva.

Guarda, anche Wikipedia e l'Oxford Dictionary dicono la stessa cosa. Diciamo che, volendo essere puntigliosi, non è molto accurata storicamente. Tutto qua.

claudiocedrone ha scritto:(Vatti a fidare degli ingegneri... )

I fet dal punto di vista funzionale si comportano, entro certi limiti, come delle resistenze, a differenza dei BJT, indipendentemente dalle citazioni più o meno nobili. Non è con le citazioni che si progettano i circuiti. Basti dire che negli integrati, non potendole mettere le resistenze "normali" si usano proprio dei fet per sostituirle.

Utdis1 ha scritto:I fet dal punto di vista funzionale si comportano come delle resistenze, a differenza dei BJT, indipendentemente dalle citazioni più o meno nobili. Non è con le citazioni che si progettano i circuiti.

L'affermazione originale parlava dei BJT, non dei FET, peraltro...in ogni caso, né io né tantomeno Pierce abbiamo mai detto che i FET non possano essere usati o visti come resistenze (controllate). Che poi sia il modo migliore di considerarli, è un altro paio di maniche.
Per un FET questa cosa è sensata, ma solo in una particolare regione di funzionamento: quella lineare o zona triodo (non per niente detta anche regione ohmica). In saturazione un FET si comporta in tutti i modi meno che come una resistenza.

Utdis1 ha scritto:Basti dire che negli integrati, non potendole mettere le resistenze "normali" si usando proprio dei fet per sostituirle.

Non è vero che le resistenza normali non si possono mettere; si possono mettere e si fa, però in molti casi si preferisce, soprattutto per ragioni di spazio, sostituirle con dei FET (spesso a coppie). Attenzione però: questo vale solo se i FET funzionano in zona lineare, appunto. Inoltre delle "resistenze" fatte in questa maniera funzionano abbastanza male. Ci sono molti altri modi per fare resistenza integrate.

Tutto quello che volete... negli integrati si cerca anche di evitare i condensatori e in genere se proprio servono le capacità si ottengono con le giunzioni (diodi)... ma tutto ciò travalica la richiesta del povero OP che è ben diversa; cerchiamo di rientrare dall'OT

DoeM ha scritto:Per un FET questa cosa è sensata, ma solo in una particolare regione di funzionamento: quella lineare o zona triodo (non per niente detta anche regione ohmica). In saturazione un FET si comporta in tutti i modi meno che come una resistenza.

Quando ho detto entro certi limiti mi riferivo proprio a quelli in zona lineare, quindi ne saturazione o interdizione e dovrebbe essere ovvio. Ma quello che obbiettavo principalmente è che Tricka90 chiedeva differenze applicative e mi sembrava si stesse "divagando" e quindi poco utile per Lui.
Per quel che riguarda gli integrati si può far tutto ma se si vuole elevata capacità di integrazione e costi bassi conviente usare una sola tecnologia e non mix, almeno ero rimasto a questo, poi magari si è evoluta tanto che conviente tutto ora.
Rileggendo non mi sembra che sia stato specificato si parlasse solo dei BJT mentre elencavate le citazioni "nobili", ma forse sono io che non capisco bene quello che avete scritto.

Potremmo appunto limitarci a elencare differenze applicative tra FET e BJT se le conosciamo, e astenerci dal resto ? Grazie.