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Chiedo cortesemente aiuto per il seguente esercizio dove il BJT deve lavorare prima in commutazione e poi in zona attiva.
1) è corretto inserire il diodo tra base e massa per evitare in interdizione una tensione veb >5 v come da data sheet

2) per far lavorare il BJT in zona attiva viene richiesto di dimensionare il circuito adoperando HFE tipico=150 ma sul data sheet sono presenti hfemin=100 HFEMAX=300 a 150 mA .come ricavo il valore tipico? grazie antonio.

1) Nel circuito non esiste una tensione inversa
(quindi il diodo è inutile)

2)Se il transistor deve funzionare come interruttore
occorrono correnti di base che lo saturino oppure lo interdicano
(quindi è più importante stabilire la tensione di saturazione
in dipendenza del carico). Vedi qui

grazie per la risposta sig g.schgor , e per quanto riguarda il valore di hfe tipico come lo ricavo qualora non viene fornito dal data sheet ?
ed in caso di interdizione del BJT mediante tensione negativa allora è corretto collegare il diodo.
Inoltre in alcuni schemi anche presente un resistore tra base e massa,per migliorare i tempi di commutazione,come si calcola correttamente?
grazie e buona serata.

1) se non hai il valore hfe lo puoi ricavare sperimentalmente
(oppure ricorrere ad una simulazione). Ma se il transistor
è usato come interruttore, serve a poco.
2)sì
3)la resistenza verso massa è necessaria quando il segnale
non va a zero (ma rimane floating, come ad es. nel caso
dell'apertura di un contatto)