Quello che tu intendi si chiama
inverted mode (o reversed mode) e sostanzialmente consiste nell'invertire i terminali di collettore ed emettitore.
Teoricamente non vi dovrebbe essere differenza se il BJT fosse costruito con una serie di layer simmetrici. Di fatto però la geometria realizzativa fa sì che il funzionamento non sia simmetrico in ambo i modi.
In reversed mode i valori di

e

sono molto minori, cosicché non vi sarebbe un vantaggio evidente nell'utilizzare tale configurazione.
In realtà esistevano applicazioni dei BJT in reversed mode che sfruttavano una peculiarità, ovvero che quando un BJT è spinto fortemente in saturazione, la tensione collettore-emettitore di saturazione è differente per i due modi di funzionamento, diretto e inverso.
Senza addentrarci in particolari, nel funzionamento diretto la

assume valori che possono raggiungere un minimo di soli 60 mV.
In funzionamento inverso, la

può assumere valori molto più piccoli, compresi tra 0.25 e 2.5 mV.
Questo rendeva il BJT ideale per realizzare switch analogici per sample/hold, charge pump eccetera. Parliamo degli anni '50- '60 del secolo scorso, prima che i JFET prima e i MOSFET poi divenissero la scelta ovvia per la realizzazione di tali switch.
Il modo di funzionamento inverso balza subito all'occhio se si è in possesso di un tracciacurve in grado di visualizzare sia il primo che il terzo quadrante contemporaneamente delle caratteristiche di uscita dei BJT.
In tal modo si vedrebbe che, oltre alla famiglia di curve Ic-Vce che usualmente risiedono nel primo quadrante (Ic e Vce positive, per i BJT NPN) apparirebbero anche delle curve simili, ma meno evidenti e con spaziatura molto minore, che risiedono nel terzo quadrante (Ic e Vce negative), che mostrano appunto il BJT in funzionamento inverso.
Se si vuole sperimentare con i BJT in reverse mode, occorre ricordarsi però della tensione massima di reverse breakdown della

, che notoriamente si aggira su pochi volt: 6V circa per il 2N3904, 5V per il BC548. Quindi occhio...
