Potrebbe non essere una buona idea, per due ragioni.
La prima, piu` generale, e` che mettere in parallelo dei transistori bipolari "porta male" (*). La suddivisione della corrente non e` uniforme e subisce la fuga termica: piu` un transistore scalda piu` conduce, scaldando sempre di piu`. Se l'integrato avesse qualche forma di limitazione in corrente per ciascun singolo canale sarebbe meglio, ma mi pare che non lo abbia. Si puo` provare a mettere una resistenzina in serie a ogni uscita, un pochino dovrebbe equilibrare le correnti.
La seconda ragione e` che quell'integrato ha una resistenza termica abbastanza elevata, 60K/W e una massima dissipazione di circa 2W. Se si tengono tutti i canali attivati a corrente elevata, e` molto probabile che surriscaldi e che intervenga lo shut down termico.
(*) Si trova detto in molti posti che invece i MOS si possono mettere in parallelo. E` vero, ma con molte cautele. Ho visto una volta un circuito con 12 MOS in parallelo, senza cautele, in cui sono esplosi tutti i MOS. Spettacolo pirotecnico interessante. In un altro caso invece 6 MOS, 900V 26A ciascuno, contenitore ISOTOP, messi in parallelo con tutte le cautele... mi e` esploso solo il primo
