Posizionamento carichi su transistor BJT e MOS
Penso che questa sia decisamente una domanda stupida, ma da quando me la sono posta trovo difficilmente risposte chiare da quello che ho imparato finora.
Non è un problema specifico trovato sul libro ma una domanda generica.
Ho notato che praticamente sempre in un circuito amplificatore il carico (schematizzato come una resistenza) viene posizionato sempre sul collettore (se è un amplificatore BJT) o sul drain (se MOS), tranne nei casi collettore comune e drain comune.
La risposta che mi sono dato penso riguardi la polarizzazione.
Nel senso che se ci fosse una grossa variazione di tensione tra emettitore e base, cambierebbe
e di conseguenza i parametri trovati per il circuito equivalente per piccoli segnali del BJT, cosa che non succede se cambia
.
Infatti:

Analogamente per il MOS, se varia troppo
, si potrebbe uscire dalla saturazione.
La risposta è questa o ce ne sono altre più profonde?
Se sì, nei casi collettore comune e drain comune, il problema perché non si pone?
Grazie in anticipo.
Non è un problema specifico trovato sul libro ma una domanda generica.
Ho notato che praticamente sempre in un circuito amplificatore il carico (schematizzato come una resistenza) viene posizionato sempre sul collettore (se è un amplificatore BJT) o sul drain (se MOS), tranne nei casi collettore comune e drain comune.
La risposta che mi sono dato penso riguardi la polarizzazione.
Nel senso che se ci fosse una grossa variazione di tensione tra emettitore e base, cambierebbe
e di conseguenza i parametri trovati per il circuito equivalente per piccoli segnali del BJT, cosa che non succede se cambia
.Infatti:

Analogamente per il MOS, se varia troppo
, si potrebbe uscire dalla saturazione.La risposta è questa o ce ne sono altre più profonde?
Se sì, nei casi collettore comune e drain comune, il problema perché non si pone?
Grazie in anticipo.