ElectroYou

Buongiorno a tutti, cimentandomi nella risoluzione di alcune prove d'esame di elettronica 1, mi sono arrestato per via di un simbolo a cui non so attribuire un significato, e che compare in tutte le prove. Il simbolo in questione è |V_A|=...

, per esempio nel'esercizio n°2 della seguente prova d'esame: https://www.foxitcloud.com/ddfJ7jEJv.
Vi chiedo gentilmente un parere riguardo il suo significato.
Grazie

si tratta dell'ampiezza (diciamo) di picco
il simbolo si usa per identificare il modulo, per i numeri complessi
(che poi è il valore assoluto per i numeri reali)
se hai gia' sentito parlare dei fasori dovresti afferrare la questione facilmente
http://it.wikipedia.org/wiki/Fasore

Grazie per aver risposto. Ma quindi nel caso della mia prova d'esame (esercizio 2), cosa mi rappresenta? La tensione di picco di $v_{sig}$ ?

scusa, ma rileggendo meglio il testo del problema credo che con quel valore intenda indicare il punto di convergenza delle curve caratteristiche: in particolare prolungandole dovresti arrivare approssimativamente al punto (-VA;0)
Sicuramente avra' anche un nome specifico, ma ora proprio non mi viene in mente

Sorgente FidoCadJ | Ingrandisci | Cos'è Fidocad

Ok, mi resta il dubbio su come utilizzare tale valore... perché ho provato anche a scartabellare il libro, ma nulla. Comunque almeno ora so cosa sia!

il segnale perturberà la condizione statica del transistor facendoti oscillare su uno di quei segmenti neri in figura, una volta che sai il punto di lavoro e questo valore VA puoi tracciare la retta con la giusta pendenza e capire di quale ampiezza cambia l'uscita del transistor
scusa ma ora devo scappare, domani se non mi hanno anticipato cerco di spiegarti meglio il concetto relativamente al tuo esercizio

è il termine comunemente utilizzato per indicare la tensione di Early dei transistori BJT. In pratica è un fattore correttivo che tiene conto del fatto che, ad esempio nel caso di un NPN, applicando una $V_{CB}$ sempre crescente, la regione svuotata base-collettore si allarga: ciò favorisce maggiormente il trasporto ohmico degli elettroni provenienti dall'emettitore e, in pratica, in ultima analisi fa crescere la corrente I_C

con la tensione $V_{CB}$ . In pratica alla classica formula della corrente in un BJT devi aggiungerci il fattore moltiplicativo $(1+\frac{V_{CE}}{V_A})$ .
Anche nei MOSFET c'è un effetto di non idealità che è l'effetto di canale corto (simbolo $\lambda$ ), che fa dipendere la corrente in zona saturazione dalla tensione $V_{DS}$ : in pratica aumentando $V_{DS}$ oltre la saurazione riduci la lunghezza efficare del canale, come se avvicinassi il drain al source. Anche qui la corrente aumenta e alla formula "ideale" della corrente nel MOS (sempre in zona saturazione) devi aggiungerci il fattore moltiplicativo $(1+\lambda V_{DS})$ .
Strano che qui ti ritrovi il simbolo V_A

al posto del $\lambda$ che identifica il fenomeno proprio del MOS... A giudicare anche dalle unità di misura, direi che qui $\lambda=\frac{1}{V_A}$ . In regione di saturazione quindi la corrente diventa:
$I_{DS}=\frac{W}{L}\mu C_{ox}\frac{1}{2}(V_{GS}-V_t)^2(1+\frac{V_{DS}}{V_A})$
Anche se non credo che sia corretto chiamarlo Early, almeno io nei MOS l'ho sempre trovato come effetto di canale corto, o SCE.

Altro nome e` modulazione della lunghezza di canale, che c'e` anche nei canali lunghi.

Visto che specifica "piccolo segnale" e dice di strascurarlo in continua, l'equazione statica del MOS non ha il fattore $\left (1+\frac{V_{DS}}{V_A}\right )$ , ma c'e` invece una resistenza r_0

fra drain e source, di valore $r_0=\frac{V_A+V_{DS}}{I_D}$ . Il termine +VDS puo` anche essere trascurato.

Vi ringrazio molto per avermi risposto. Passando ad un abbozzo di soluzione dell'esercizio (almeno per quanto concerne il punto 1), vorrei proporvi la mia soluzione. Se potete darci un'occhiata e darmi un parere (in realtà anche qui ho il parere del simulatore circuitale, ma essendo poco ferrato anche nell'uso di quello...

)
Innanzitutto dico che il transistor in questione opera in saturazione, poiché è abbastanza evidente che $V_{GD}<V_{tn}$ . Considero poi C_s

come circuito aperto, avendo esso capacità infinita. Tutto questo ovviamente supponendo che il generatore di segnale sia spento. Conosco la corrente entrante nel diodo (e qui mi fido del simulatore), uguale ad I_0

.
Imposto le seguenti equazioni, sostituendo alle differenze di potenziale sul dispositivo le differenze vere e proprie: $I_0=k(v_g-v_s-v_{tn})(1+\frac{v_d-v_s}{v_a})$ e sostituisco a v_d=v_g=5v

. Trovo quindi che v_s=2,05v

. Da qui trovo, con la formula indicatami da

IsidoroKZ che la $r_0=52,9k\Omega$ , valore che mi pare un po' altino onestamente...
Potreste darmi un parere?
Grazie

stdio93 ha scritto:Conosco la corrente entrante nel diodo

Non ci sono diodi, intendevi MOS?
Però lui ti dice che l'effetto Early (o chi per lui) è trascurabile in continua, per cui la formula per il calcolo dei parametri è semplicemente
$I_0=k\frac{1}{2}(V_G-V_S-V_{T})^2$
Occhio a non dimenticare il quadrato :!:

ElectroYou

Interpretazione di un simbolo

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