ElectroYou

Salve, vorrei sapere come calcolare la giusta resistenza fra gate e source di un mosfet.
In passato mi è stato insegnato che il valore della resistenza è di 1K Ohm, mentre facendo delle ricerche in rete, ho notato che la resistenza viene selezionata tra un minimo di 22K ed un massiomo di 1M Ohm
link:http://www.microcontroller.it/T&T/Elettronica/mosfetwarning.htm

Sul manuale di elettronica dell' Hoepli dicono di inserirne una da 1M Ohm.

Sul forum ho trovato la seguente discussione: http://www.electroyou.it/forum/viewtopic.php?t=29601

Il mosfet che utilizzo è un IRF530N http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf530n.pdf

Grazie

Non c'è una ricetta sola, dipende da cosa devi fare, se il gate è flottante allora la R collegata tra gate e source serve a garantire una tensione nulla tra gate e source ed è sufficiente anche un valore alto 10-20k, se devi commutarlo rapidamente allora la R va posta in serie tra il gate e il driver e deve essere piccola altrimenti la tensione tra gate e source non passa rapidamente da uno stato all'altro a causa della capacità che si vede guardando dentro al gate ma, allo stesso tempo, la R non può essere troppo piccola, va considerata la massima corrente che il driver è in grado di erogare e la massima potenza che può dissipare che dipende dalla frequenza.

Usa il tasto "RISPONDI" per rispndere, non il tasto "CITA"

Si ok, intendevo mettere sia la resistenza di gate in modo da smorzare le risonanze, sia una di pull down per mandare allo stato logico basso il gate se non pilotato.
Il mosfet verrà pilotato rapidamente, e visto che si tratta di ponte H, il gate del mosfet lato high side è flottante

Non è chiara la tua descrizione, se lo disegnassi con Fidocadj sarebbe più comprensibile.

OK, ora provvedo a disegnarlo con fidocad

Avevo aperto la stessa domanda circa 4 anni fa.
Oltre all'aiuto del buon e grande BrunoValente, se ti può essere di aiuto:

viewtopic.php?f=1&t=29601#p243363

Avevo visto la tua domanda, nella seguente formula:

Rgs< (Vth/Cgd)*(dt/dV)

dt/dV a cosa si riferisce?

Se la resistenza è di pull down, quindi deve portare a massa il gate quando non pilotato, il (dt/dV) è il tempo di spegnimento
( Td(off+Tf) )?

murdok ha scritto:dt/dV a cosa si riferisce?

Scritta cosi direi alla variazione del tempo di accensione/spegnimento rispetto alla tensione applicata.

Comunque il coefficiente:



è la corrente del consensatore:



E come poi hai visto abbiamo..



Comunque, ho ritrovato la AN:

http://www.radio-sensors.se/download/gate-driver2.pdf

Faccio che allegarla al thread linkato vista che era sparita.

Le resistenze di smorzamento R1 ed R3 sono da 10 Ohm, i diodi veloci 1N4148 gli ho messi per bypassare la resistenza di gate (ho fatto una ricerca in rete), scaricando in questo modo la capacità di gate più velocemente.
Le resistenze R2 e R3 sono di pull down

Propongo cambiare l'NMOS sul lato alto, con un PMOS cosi