ElectroYou

Salve, tra qualche giorno ho l'esame di elettronica e sto cercando di togliermi alcuni dubbi.
Ho un circuito di polarizzazione tipo il seguente:

Circuito equivalente:

Sono giuste le seguenti formule?








Inoltre come trovo Vce e Vbe?
Grazie mille.

Non vedo dove prelevi la Vc, ma immaginando che sia la tensione tra collettore e riferimento
oppure



quando il transistor lavora in regione attiva, vale 0.65 - 0.7 V poiché è una giunzione PN polarizzata direttamente.

invece va calcolata in funzione della rete di polarizzazione e delle correnti e oppure va imposta come parametro di progetto, e calcolata la rete di polarizzazione in funzione di questo e di altri parametri come ad esempio l'amplificazione.

La prossima volta che disegni un circuito con fidocadj, se cerchi bene ci sono i simboli del transistor, delle resistenze e delle alimentazioni, non le devi per forza disegnare tu. Ci impieghi meno tempo e fai un lavoro più leggibile :)

dadothebest ha scritto:

Questo e` solo un lapsus:

I pedici con una sola lettera scrivili cosi` I_C mentre quelli piu` lunghi mettili fra parentesi graffe V_{CE}, il risultato e`

Ti conviene ricordare una formula utile, cosi` non la ricavi tutte le volte

Grazie per le risposte, chiedo scusa per le formule (errori di battitura e grazie per le dritte, non le conoscevo) e il disegno ma sono alle prime armi con fidocadj.
Ora ho capito tutto ma vorrei chiedervi se queste formule posso utilizzarle per qualsiasi tipo di BJT (emettitore comune, base comune e collettore comune) e se sono applicabili anche al FET (ad esempio la corrente di base dovrebbe essere 0 nel FET? )
Perdonate le domande "stupide" ma ultimamente sto andando nel pallone.

Se riesci ad avere il circuito equivalente sulla base e l'emettitore e` collegato al piu` con una resistenza, il transistore non sa in che configurazione e`, e quindi le formule vanno sempre bene. La cosa importante e` conoscere la rete collegata alla base e quella collegata all'emettitore.

Il FET ha un comportamento molto diverso dal BJT, tipicamente quadratico, non puoi usare le stesse formule.

dadothebest ha scritto:vorrei chiedervi se queste formule posso utilizzarle per qualsiasi tipo di BJT (emettitore comune, base comune e collettore comune)

Quella rete di polarizzazione è molto generale ed è sempre valida anche nei casi particolari in cui Rc vale 0 (collettore comune) o Re vale 0 (emettitore comune).
Comunque come in molti altri casi, bisogna stare attenti con le formulette "a memoria" perché quando vengono ricavate, si riferiscono sempre ad un certo contesto che poi deve essere identico a quello in cui verranno applicate.

dadothebest ha scritto: e se sono applicabili anche al FET (ad esempio la corrente di base dovrebbe essere 0 nel FET? )

Vedi risposta di IsizoroKZ

Avrei un'altra domanda riguardante le configurazioni a collettore comune e emettitore comune. E' giusto dire che:
Per la configurazione collettore comune:




Con:

(ALTA)
(BASSA)


Configurazione emettitore comune:



Con:

(ALTA)
(BASSA)

Chiedo scusa se i disegni sono poco chiari e dei miei (sicuramente) molti errori.
Grazie ancora.

Nel collettore comune non ci deve essere la resistenza sul collettore (tranne in qualche caso particolare), fa solo dei danni.

Come mai nelle formule mescoli e ? O usi uno oppure l'altro, ma insieme non vanno.

L'amplificazione dovrebbe essere qualcosa del genere:

Le impedenze di ingresso e uscita dipendono anche da dove le prendi, potrebbero essere e

Impara ad usare i pedici: I_C V_{CE} e` tutto quello che c'e` da sapere!

Grazie dell'aiuto, ho usato sia che perché le formule delle impedenze le ho trovate su internet, non le conosco. Quindi per quanto riguarda la resistenza di ingresso e di uscita in entrambi i casi (penso calcolata sulla base e all'emettitore o collettore a seconda del tipo di collegamento in comune), la formula più generale di tutte è quella che hai scritto tu?
Domanda un po' banale: il coefficiente ed dipendono dal transistor? Cosa sono nello specifico?

hie è uno dei parametri ibridi, che si usano considerando il transistor come un quadripolo:
Modello_ibrido_del_transistor

gm è la transconduttanza del transistor ed è un termine differenziale:
Transconduttanza