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Buonasera ragazzi, vi posto questo esempio che chiede di calcolare la resistenza di emettitore .
Questo è il circuito e ho ricavato il successivo circuito di polarizzazione,segnalando le tensioni e le correnti:



Per ricavare la resistenza di emettitore, ho pensato di ragionare in tal maniera:
1)Dal circuito (posto sotto) ricavo la corrente che scorre su RD2 e che provoca la caduta di tensione VRD2, cioè applicando il bilancio delle tensioni alla maglia individuata e sfruttando il valore VA=-2V :
ovvero , ricavo IRD2 come:



2)Ho pensato che questa corrente IRD2 appena calcolata, è uguale alla corrente di drain ID2 dell'Nmos M2 e quindi ho calcolato la VGS2 come:

3)Per poter determinare la resistenza RE sono andato ad osservare tale circuito:

Ho applicato LKT o bilancio delle tensioni a tale maglia:

Ovvero:
Quante incognite ci sono per determinare RE?
1)IR1 e IE1
2)Applicando LKC al nodo , possiamo dire che IR2=IR1+IB1 --> IR1=IR2-IB1
3)Trascuro IB1, IB1=0--> IE1=IC1 e IR1=IR2
4)Quindi riscrivo la resistenza di emettitore RE come:

Come determino la IR2 e la IE1?
5)Posso dire che la corrente di emettitore IE1=IC1=IS1=ID1=1 mA , ricavo VSG1 come:

6)Come ricavo IR2?
Trascurando IB1 ed essendo IG1, possiamo ricavare la corrente IR2 da tale maglia:


Quindi da questa maglia ricavo che:

Ricavo la corrente IR2 come:

Finalmente posso calcolare RE,sostituendo i valori trovati di IR2 e IE1:


Ragazzi volevo sapere se vi trovate con me, perché non ho risultati.

70V di VGS mi paiono proprio TROPPI! Hai sbagliato i conti.

L'idea va bene, calcoli la VGS necessaria al MOS di uscita, quindi la corrente attraverso RD1, che e` anche quella di collettore del transistore bipolare, del quale sai la tensione di base e quindi quella di emettitore e puoi calcolare la resistenza di emettitore.

Quando scrivi le formule in latex, usa i pedici in questo modo V_D o se ci sono piu` caratteri V_{GS}: le formule si leggono meglio.

Dimenticavo: come e` poi finito l'esercizio del thread "Polarizzazione circuito amplificatore multi-stadio" Lo hai fatto? Hai verificato il valore di R1? Quanto ti viene?

Purtroppo ho rifatto i conti ma viene sempre in questo modo, forse perché kn e kp sono dell'ordine del mA/V^2 e non del microAmpere/V^2 , quindi mi vengono valori più alti, infatti , mi sembra proprio strani questi valori.
Per quanto riguarda quel valore di R1 dell'altro esempio, era giusto, cioè 1 kohm.

Quanto viene VGG dell'altro esercizio?

La tensione VGS che hai calcolato in questo esercizio e` sbagliata, fidati! Prova a guardare bene le unita` di misure e i prefissi.

Dell'altro esercizio lo feci solo in maniera letterale però i dati erano giusti perché presi dal testo.

Diamine la stanchezza si fa sentire (XD), ecco la formula giusta:


Stessa cosa per VSG1.

Nell'altro esercizio con R1=1kohm la tensione VGG viene di circa 8.56V (piu` o meno, non mi ricordo il valore). Con R1=10kohm VGG=3V. Secondo te qual e` quella giusta?

Nel calcolo della VGS hai fatto delle approssimazioni non giuste, viene 2V.

Si infatti viene circa 1,99 V approssimabile a 2 V, comunque penso che vada meglio R1=10 kohm perché il valore VGS è più consono agli standard di un MOS , poi dire che VGG=VGS è una conseguenza del circuito.

Per il momento mi accontento di avere una VGS maggiore della tensione di soglia VTN per poter garantire che il MOS lavori in zona di saturazione. Per il resto, a livello progettuale ancora devo valutare al meglio le resistenze ad esempio per garantire migliore guadagno , una certa resistenza d'ingresso etc...