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Salve,
sto realizzando dei transistor su plastica all'universita' ma per una serie di motivi le maschere si sono spostate durante i processi di evaporazione.
In particolare le maschere degli active layers si sono spostate rispetto alla posizione degli elettrodi ora mi chiedo... come faccio a calcolare la lunghezza di canale?
con microscopio e alcuni strumenti posso prendere delle misure ma non so bene quali e come dovrei prenderle.
dagli schermi che si vedono in giro L e' banalmente la distanza tra gli elettrodi se non ho capito male ma questo e' nel caso in cui e' tutto regolare.
Spero che tra voi ci sia chi possa aiutarmi... grazie

Se hai delle aree di prova da cui puoi misurare la resistivita` e quindi il drogaggio del substrato e se puoi anche misurare la capacita` di ossido, allora dalle misure elettriche forse puoi ricavare W/L.

E` un processo autoallineante?

Puoi descrivere brevemente il processo che hai eseguito?

processo, per passi principali:
1. preparazione del substrato... si effettua un lavaggio del PET con sistema a ultrasuoni
2. si deposita oro sui substrati per perparare il gate
3. si deposita un materiale isolante
4. si utilizza la maschera dell'active layer per depositare il materiale desiderato
5. si mette la maschera per depositare l'oro per creare gli elettrodi

ho una specie di teglietta con sagomati dei rettangolini (2x1cm circa)dove inserisco i miei pezzettini di substrato...
purtroppo quando ho cambiato la maschera dal punto 4 al 5 i substrati si sono mossi leggermente, non potendo ritagliare perfettamente i substrati a mano. ad ognimodo per quanto voglia tagliarli bene c'e' sempre un minimo di lasco.
non e' un sistema autoallineante purtroppo... sono io che manualmente cambio le maschere.