ElectroYou

Salve!
Partendo dal dato fornito della potenza dissipata da M1 riesco a ricavare che esso è in saturazione con una tensione di Drain pari a -2V. Tale tensione è comune alla Base di Q1, al Drain di M2, a un capo di R5 e R4, al Drain di J ed all'Emettitore di Q2. Da ciò ricavo che Q2 è in saturazione in quanto se sfrutto trovo che le correnti e le tensioni sono incompatibili con il funzionamento in attiva diretta mentre se pongo Vce=0,2V (per ipotesi di saturazione) trovo un abbastanza piccolo rispetto a 100, risultato che confermerebbe il suo funzionamento in saturazione appunto. Anche J è in saturazione; D funge da Zener mentre M2 è anch'esso in saturazione. Un dubbio mi sorge nell'analizzare Q1. Dalle equazioni delle correnti ai vari nodi trovo che che è la corrente di Base di Q1. Se sfrutto il fornito dai dati trovo che il transistor è incompatibile con il funzionamento in regione attiva mentre se sfrutto l'equazione alla maglia dove pongo la tensione base-emettitore pari a 0.7V allora trovo che il transistor funziona in attiva diretta verificandosi una ma un piccolissimo rispetto al valore fornito dai dati...cosa che mi indurrebbe a pensare che Q1 lavori in saturazione.
Qualcuno ha qualche idea?

Nessuno che abbia risolto il circuito per un confronto?

Suggerimento: il jfet J fa da generatore di corrente costante. Cio' ti permette di semplificare l'analisi...

Si, questa è una giusta osservazione. Il mio dubbio però si riferisce a Q1 in quanto sembra essere in zona attiva ma con un beta troppo piccolo per porlo nella zona di lavoro di buona amplificazione...

Non mi torna la tensione di -2V sul drain di M2. Che formula avete usato per il transistore in saturazione?

Per il MOS in saturazione usiamo la seguente formula

La tensione -2V la trovo sfruttando la condizione imposta dal problema cioè la potenza dissipata da M1 che è pari a 24mW

M1 è un MOS a svuotamento ed M2 è un MOS ad arricchimento vero? Perché non c'è scritto niente da nessuna parte (se non indirettamente: ha la stessa polarità per entrambi i MOS nonostante questi siano di polarità opposta).

Se ho fatto una domanda sciocca scusatemi (anche per l'ora)

M1 è un PMOS a svuotamento mentre M2 è un NMOS ad arricchimento. Entrambi i dispositivi hanno una Vt positiva.

deltaV ha scritto:Per il MOS in saturazione usiamo la seguente formula

ok. Domandavo questa formula perche' la si trova in due versioni, con il diviso due e senza. Mi sembra che la corrente di drain di M2 risulti di 2mA, concordi?

deltaV ha scritto:La tensione -2V la trovo sfruttando la condizione imposta dal problema cioè la potenza dissipata da M1 che è pari a 24mW

Se la corrente del MOS e` di 2mA, e la potenza dissipata e` di 24mW, la tensione drain source vale 12V, e quindi se il source e` a -10V, a che tensione e` il drain?

Se ti venisse piu` comodo, visto che il circuito non ha nessun collegamento al potenziale zero, puoi anche considerare che Vee sia 0V e Vcc 20V.

Il testo fornisce le tensioni di soglia in valore assoluto, la tipologia dei MOS si capisce dai simboli usati. Quello usato per M1 è il simbolo di un MOS a svuotamento? Non l'ho mai visto usare!

Comunque facendo qualche conto (non sono arrivato alla fine) trovo anche io la tensione di drain dei due MOS che vale -2 V.
Usando questa tensione e supponendo Q1 in regione attiva torvo una I_B di circa . Tu come hai trovato la I_B di Q1?

Edit: Ops, in ritardo!