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Ciao a tutti! Studiando i MOSFET mi è venuto un dubbio. A quanto pare non c'è una differenza fisica di costruzione per esempio in un nMOSFET tra drain e source, però studiando le varie configurazioni la differenza c'è nella caratteristica di output. Non posso quindi usare al posto del source il drain. Qual è il motivo? Dipende per caso da dove viene collegato il body? da quello che ho letto i costruttori nella maggior parte dei casi producono MOSFET a 3 piedini, collegando per esempio il body al source in uno di tipo n ad arricchimento. E questo chiaramente crea una differenza... ma è questo il vero motivo? Se no allora in cosa consiste l'asimmetria?

Si parlava tempo fa di una cosa simile qui e confesso di non aver ancora capito il perché, nonostante la spiegazione che mi fu data (che trovi nel link).

Magari ti è utile.

Io a questa:

Dipende per caso da dove viene collegato il body?

risponderei sì ancora oggi ma, da come mi hanno detto, la risposta sembra essere sbagliata.

Tralasciando casi di collegamenti forzati all'interno del socket, come nel caso in cui il body venga contattato con il contatto di Source o Drain, il MOSFET è un dispositivo simmetrico. Source e Drain non sono identificati "meccanicamente", ma funzionalmente.
Considera i due contatti di Source e Drain, uno a destra ed uno a sinistra, per un nMOS.
Se applichi VDD a quello a sinistra e massa a quello a destra, il contatto a sinistra è il Drain, quello a destra è il Source. Se poi decidi di switchare le alimentazioni in modo tale che a destra ci sia massa ed a sinistra ci sia VDD, il contatto a sinistra sarà il Source e quello a destra sarà il Drain.

D'altronde basta vedere il profilo delle bande nel caso di VDS=0, notando la perfetta simmetria, per accorgersi di ciò.

Mi sembra di capire che allora ho ragione a dire:

Ianero ha scritto:Io a questa:

Dipende per caso da dove viene collegato il body?

risponderei sì ancora oggi

giusto DrCox?

Il source è quello che è la sorgente delle cariche, il drain quello che le drena. In un NMOS, ad esempio, il source è il più negativo, il drain il più positivo dei due. Questo in un MOS orizzontale, in uno verticale si perde la simmetria.

Scusate forse sarà una banalità, ma oltre alla differenza funzionale di cui si parla nel topic linkato a inizio discussione, la differenza "fisica" non dovrebbe stare nella giunzione pn che sta tra drain e source (nMOS) dovuta proprio al fatto che source e body sono collegati fra loro?

Maranza ha scritto:dovuta proprio al fatto che source e body sono collegati fra loro?

Però seguendo questa logica se mi compro un nMOS con 4 piedini separati e collego il body al drain, inverto le funzionalità e ho un nMOS che svolge le funzioni di un pMOS che è assurdo perché a questo punto non avrebbe senso costruire i pMOS che hanno drogaggi differenti.

Peternek ha scritto:

Maranza ha scritto:dovuta proprio al fatto che source e body sono collegati fra loro?

Però seguendo questa logica se mi compro un nMOS con 4 piedini separati e collego il body al drain, inverto le funzionalità e ho un nMOS che svolge le funzioni di un pMOS che è assurdo perché a questo punto non avrebbe senso costruire i pMOS che hanno drogaggi differenti.

Questa non l'ho proprio capita, puoi spiegarti meglio?

Peternek ha scritto:Maranza ha scritto:
dovuta proprio al fatto che source e body sono collegati fra loro?


Però seguendo questa logica se mi compro un nMOS con 4 piedini separati e collego il body al drain, inverto le funzionalità e ho un nMOS che svolge le funzioni di un pMOS che è assurdo perché a questo punto non avrebbe senso costruire i pMOS che hanno drogaggi differenti.

Aspetta aspetta, io parlavo della differenza che c'è tra source e drain prendendo per esempio un nMOS.
Forse mi sono spiegato male io

Continuo a non capire. Il punto è che nel momento in cui tu colleghi il body al drain, e vuoi che tutto funzioni, il drain diventa source Essi non hanno ricevuto alcun nome di battezzo, per cui assumono un ruolo a seconda delle tensioni in gioco.