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Ciao a tutti! Ho cercato un po' su internet riguardo all'argomento (in inglese tra l'altro) ma non sono riuscito a trovare un motivo concreto dietro alla tensione di flicker nei MOSFET. E' una mia pura curiosità perché mi sono scontrato con un circuito che la elimina. L'unica cosa che sono riuscito a trovare è questa conclusione del 1999, per quello vi chiedo qui nella speranza che si sappia qualcosa di più. Vi chiedo per favore di rispondermi se sapete qualcosa a riguardo, se per caso l'argomento fosse troppo avanzato non mi interessa in maniera dettagliata conoscerlo.

1/f noise has been observed in all kind of devices, from homogeneous metal
film resistors and different kind of resistors to semiconductor devices and
even in chemical concentrated cells. Because 1/f noise is well spread over the
components, people think that there a fundamental physical mechanism is
behind it. Till now such a mechanism is not yet found.
There is a lot of experimental evidence that several mechanisms are involved
in generating 1/f noise.
The MOS transistor has the highest 1/f noise of all active semiconductors, due
to their surface conduction mechanism.
The result is: several theory's and physical models competing together to
explain the 1/f noise in a MOSFET. These theory's and models differ in detail
but are all based on the mobility fluctuation model expressed by the Hooge
empirical relation, and the carrier density or number fluctuation model first
introduced by McWhorter.

Secondo me hai cercato male.
E' uno dei rumori più diffusi: dai dispositivi artificiali ai fenomeni naturali. E' stato osservato anche nelle fluttuazioni delle piene del fiume Nilo!
Anche se non lo percepiamo, lo vediamo ogni giorno nelle strade cittadine...

Dove hai trovato il circuito che elimina il rumore 1/f?

IsidoroKZ ha scritto:Dove hai trovato il circuito che elimina il rumore 1/f?

credo di essermi espresso male, non è che lo elimini ma consente di ridurlo. In questa applicazione lo riduce di 28dB. L'ho trovato in una pubblicazione non importa quale perché sembra un metodo famoso: CDS (correlated double sampling), l'ho appena letto a quanto pare è una tecnica che consiste nel campionare due volte: a solo rumore in ingresso quindi flicker + offset dell'operazionale e poi a ingresso aggiunto.

volevo aggiungere che ho trovato altro ma sempre degli anni 99. Sembra che sia stato un argomento hot in quel periodo: praticamente dicono che dipende dal numero di portatori di carica nel canale del MOSFET cioè dalle fluttuazioni di queste quantità. Forse mi sbaglio ho solo letto la conclusione.

Di informazione ce n'è tanta in rete ma l'inglese non è che lo conosca bene e il traduttore non mi aiuta troppo per quello chiedo qui a voi la vostra conferma

Ci sono due teorie principali, ma che conducono a risultati simili: fenomeni di rilascio e ricombinazione dei portatori di carica (McWorther) e fluttuazioni di resistenza elettrica causate da fluttuazioni del numero dei portatori di carica (Hooge).

http://www-3.unipv.it/lde/didattica_ele ... umore2.pdf

Grazie mille EdmondDantes, più tardi mi metto a leggerlo