ElectroYou

Ciao a tutti! Qualcuno sa se esiste una formula generale (in modo che io eventualmente possa adattarla) per calcolare la potenza dissipata/assorbita da un transistor? Sia MOS che BJT. Grazie mille in anticipo

Per prendermi 1000 ringraziamenti,10 bastano, rispondo subito
Potenza = tensione fra collettore emettitore moltiplicata per la corrente di collettore.
Qualche limitazione:
Ho trascurato la corrente di base per la tensione base emettitore(commetto un errore del permille)

Fai un esempio numerico.

Allora non capisco perché trovo sempre formule diverse.
Oggi ho trovato P = iceIc + IbeIb
Mentre ieri VeIe + IcVc
sapresti darmi una spiegazione?

La prima che hai postato (corretta): è corretta, come ti diceva MarcoD il secondo termine è molto minore rispetto al primo per cui si può trascurare

Ah, ora ho capito! Grazie ad entrambi!

mapolluz ha scritto:Mentre ieri VeIe + IcVc

Dove?

Sai mapolluz il tutto sembra gia risolto, ma che queste formule ti danno il solo funzionamento statico, se ti trovi come sempre (o quasi) in regime dinamico, le cose sono decisamente diverse. A facilitare però il calcolo ci sta il fatto che in genere, devi avere la minima dissipazione possibile, (sempre che non ti trovi a lavorere in lineare), quindi devi ottenere sempre il funzionamento che ti dia la minima dissipazione, indifferentemente dal suo valore. Credo di non essere stato chiaro, ho reso l'idea?

saluti