ElectroYou

CIao a tutti! é corretto dire che il guadagno di tensione a piccolo segnale è:

$A = \frac{\beta R_c}{r_\pi + R_b}$ per Base comune con resistenza sulla base
e
$A = \frac{\beta R_d}{r_\pi + R_g}$ per Gate comune con resistenza sul gate
Grazie in anticipo

Disegna gli schemi delle configurazioni di cui parli con FidocadJ, altrimenti aiutarti è molto più difficile (soprattutto se nessuno ha voglia di perder tempo a interpretare!) :ok:

In realtà dovresti anche riscrivere le formule con LaTeX, ma per questa volta lo faccio io al posto tuo.

mapolluz ha scritto:CIao a tutti! é corretto dire che il guadagno di tensione a piccolo segnale è:

A = $\frac{\beta R_c}{r_\pi + R_b}$ per Base comune con resistenza sulla base

No....
Quello che hai postato è il guadagno di corrente:
$\frac{I_{C}}{I_{E}}=\alpha _{F}$
Di fatto non è un vero è proprio guadagno visto che
è sempre poco meno dell'unità, in pratica la configurazione a base comune è adatta come buffer di corrente.
Per quanto riguarda il guadagno di tensione:
$\frac{v_{c}}{v_{e}}$
Devi prendere in considerazione la resistenza di collettore, comunque come ti ha detto

rugweri
fai uno schema. :ok:

NB:
Mi sono accorto ora che in realtà c'è una $R_{c}$
ma io sono cecato e lo scambiata per una $R_{e}$
quindi ignora ciò che ho scritto

Allora non capisco che formula segua il mio professore dal momento che da proprio quella soluzione per il problema che allego. E imposta in maniera uguale quello a gate comune

Gli schemi su questo forum si disegnano con FidocadJ... :roll:

Te l'ho scritto sopra e te lo ripeto ora... per favore non farmelo scrivere una terza volta :ok:

mapolluz ha scritto:Allora non capisco che formula segua il mio professore dal momento che da proprio quella soluzione per il problema che allego

Controllato adesso la soluzione è giusta...
Nella risposta di prima avevo scambiato una
R_c

per una

.

Ancora adesso non riesco a distinguerle

Comunque se sei masochista:

$v_{c}=\frac{\beta \cdot R_{6}}{R_{2}\left ( \beta +1 \right )+r_{\pi }+R_{B}}$

$v_{e}=\frac{r_{\pi }+R_{B}}{R_{2}\left ( \beta +1 \right )+r_{\pi }+R_{B}}$

$\frac{v_{c}}{v_{e}}=\frac{\beta R_{6}}{r_{\pi }+R_{B}}$

Le formule che scrivi dipendono da quale modello usi e da quali approssimazioni, piu` o meno implicite, ha fatto il tuo professore. Quella che hai scritto per il base comune potrebbe essere giusta, quella per il MOS direi di no.

E comunque fai i disegni bene.

Grazie Exodus, gentilissimo!!
Per quanto riguarda quella del gate comune era riferita ad un'eventuale situazione uguale al mio allegato (che non ho disegnato bene e vi chiedo scusa) solo con un mosfet al posto di un BJT. Dato che c'è molta corrispondenza negli altri casi (emettitore/collettore comune con source/drain comune) mi chiedevo se c'era anche tra base e gate.

Niente, non vuole capire... mi dispiace, ma devo essere più netto: possiamo avere dei disegni realizzati con FidocadJ, o dobbiamo continuare a vaneggiare sul nulla? :evil:

mapolluz ha scritto:Dato che c'è molta corrispondenza negli altri casi (emettitore/collettore comune con source/drain comune) mi chiedevo se c'era anche tra base e gate.

Possiamo verificare anche in questo caso la corrispondenza. Consideriamo i seguenti circuiti per il piccolo segnale (va sempre tenuto a mente che esistono diversi gradi di approssimazione).

Sorgente FidoCadJ | Ingrandisci | Cos'è Fidocad

Nel caso del BJT otteniamo

$V_u = -I_C R_C = - \beta I_B R_C = - \beta \frac{-V_{in}}{r_\pi} R_C = g_m R_C V_{in}$

mentre per il MOSFET

$V_u = - I_D R_D = - g_m V_{GS} R_D = - g_m (-V_{in}) R_D = g_m R_D V_{in}$

Alla luce di queste equazioni si può chiaramente evincere un'analogia nei guadagni in tensione

$A_V = \frac{V_u}{V_{in}} = g_m R_L$ con R_L

generica resistenza di carico (in un caso collegata al collettore, nell'altro al drain).

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Guadagno a piccolo segnale

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