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Buongiorno,

Nel mio progetto sto dimensionando un Full Bridge Inverter. Il valore efficace della corrente nei MOSFETs arriva fino 70A rms. Pur avendo scelto un mosfet con una bassa RDSon, la potenza persa durante la conduzione è molto elevata:

Pd=Rdson*Ieff^2=0.019*50^2=47.5 W.

A questa dovranno poi sommarsi le perdite di switching in quanto il MOSFET lavora a f=100kHz.

Per questa ragione avevo pensato di utilizzare due MOSFETs in parallelo in modo da dividere la corrente ed ottenenre:

Pd=Rdson*Ieff^2=0.019*25^2=11.8 W.

Volevo chiedervi se è sufficiente connetterli in parallelo o è necessario seguire degli accorgimenti particolari.

Per quanto riguarda il Driver, posso utilizzare un driver per pilotare entrambi i MOSFETs o ogni MOSFET ha bisogno del suo driver?

Grazie.

IXTT140N10P 100 V 74 A 0.025 ohm 2,95933 euro
IXTQ75N10P 100 V 140 A 0.011 ohm 7,26000 euro

Un mosfet "grosso il doppio" *non* costa significativamente piu' del doppio

https://www.digikey.it/products/it?keywords=IXTQ75N10P
https://www.digikey.it/product-detail/it/ixys/IXTT140N10P/IXTT140N10P-ND/1652612

E' vero, ma rimangono le alte perdite di conduzione, no?

0.011 ohm sono la meta' di 0.019 ohm per cui la potenza dissipata si dimezza

Per collegare in parallelo due MOS, oltre a fare un layout curato, senza piste lunghe, con aree strette... le solite cose insomma, devi mettere per ciascun MOS un resistore di gate separato. Puoi usare lo stesso driver se ha abbastanza corrente da accenderli insieme.

C'era una vecchia application note della siliconix, scritta da Rudy Severns, che discuteva bene il problema. Direi che anche altri costruttori di MOS abbiano informazioni in proposito.

PS: ho trovato in rete tutto il libro della siliconix, qui

IsidoroKZ ha scritto:...ho trovato in rete tutto il libro...

Lettura molto interessante.
Penso che questo fine settimana avrò qualcosa da leggere!

IsidoroKZ ha scritto:Per collegare in parallelo due MOS, oltre a fare un layout curato, senza piste lunghe, con aree strette... le solite cose insomma, devi mettere per ciascun MOS un resistore di gate separato. Puoi usare lo stesso driver se ha abbastanza corrente da accenderli insieme.

Per calcolare quanta corrente ti serve devi considerare la capacità di gate dei MOS.