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Realizzazione circuito pilotaggio NMOS

MessaggioInviato: 9 nov 2018, 21:53
da IgorJP
Salve a tutti mi presento, mi chiamo Igor e mi diletto nel restauro e la modifica di fuoristrada americani.

Ho bisogno di realizzare un circuito che all'arrivo di un impulso positivo emetta un impulso di massa.

Per fare ciò ho acquistato questi transistor IRLB4030PbF

Pensavo ad una cosa del genere... E' corretto?? Ma mi serve dimensionare i resistori o partitori per il pilotaggio del Gate.

Potete aiutarmi?

Re: Realizzazione circuito pilotaggio NMOS

MessaggioInviato: 9 nov 2018, 22:19
da adert

Re: Realizzazione circuito pilotaggio NMOS

MessaggioInviato: 9 nov 2018, 22:31
da IgorJP
Grazie 162...

Sei sicuro basti una sola resiastenza... la tensione di pilotaggio puo' oscillare dagli 11.8 ai 13 V

Questo puo' essere un problema???

Re: Realizzazione circuito pilotaggio NMOS

MessaggioInviato: 10 nov 2018, 16:49
da adert
IgorJP ha scritto: la tensione di pilotaggio puo' oscillare dagli 11.8 ai 13 V

Questo puo' essere un problema???

Dal datasheet risulta VGS max +/-16 V
http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/311634/IRF/IRLB4030PBF.html
Tieni conto che la corrente di gate arriva a 0,8-1,5A, per la capacità totale in entrata la gate. è in grado di generarla il tuo sistema?

Re: Realizzazione circuito pilotaggio NMOS

MessaggioInviato: 10 nov 2018, 17:38
da adert
Per migliorare la velo di commutazione allo spegnimento, off, meglio mettere un resistenza da 1k 0,5 watt tra gate del mosfet e massa.
Fammi sapere se il tuo pilotaggio puo' gestire almeno 1 Amper impulsivi.

Re: Realizzazione circuito pilotaggio NMOS

MessaggioInviato: 10 nov 2018, 20:43
da IgorJP
Non so proprio come sapere gli ampere di questa centralina... Purtroppo...

Se è un risolvibile con un altro tipo di transistor accetto consigli...

Re: Realizzazione circuito pilotaggio NMOS

MessaggioInviato: 10 nov 2018, 20:52
da adert
Prova a fare il tutto come da schema allegatoti, monta il mosfet su di un buon dissipatore alettato.
La corrente disponibile in entrata sul Gate serve ad accelerare ala max l'andata da off a on del mosfet per ridurre al minimo la potenza dissipata nel mosfet tra Drain e Source, con un buon dissipatore dovresti ovviare a questo.

Re: Realizzazione circuito pilotaggio NMOS

MessaggioInviato: 12 nov 2018, 9:44
da lelerelele
Devo fare qualche appunto, a quanto indicato da Foto Utenteadert, precisando che questa applicazione non la conosco.

Per quanto riguarda il pilotaggio personalmente non uso mai le resitenze, quella in serie c'è chi la usa, quella verso massa ritengo che non serva, perché è i pilotaggio a monte, che deve fornire un fronte ripido verso massa, ed a bassa impedenza, ne ottimizza il funzionamento senza resistore verso massa.

la Vgs va da 1 a 2,5V, il pilotaggio deve essere ottimizzato entro questi valori, Ciò che non hai menzionato, ed è la parte maggiormente critica è il tipo di pilotaggio, sepecie con un mosfet con gate sensibile come questo.

Il mosfet, "pilotato correttamente" porta 180A, nel tuo caso arriverai ad 1A, quindi abbondantemente largo nei margini, la dissipazione su 1A, con RDSmax 4,3mohm sarebbe di 4,3mW, quindi non necessita di dissipatore, (se scalda è perché non lavora in condizioni decenti).

Unico mio dubbio sarebbe la tensione massima, anche perché non conoscendo questo iniettore, dal punto di vista elettrico, non so se possa o meno dare problemi funzionali, mi riferisco al diodo di protezione messo in antiparallelo, (potrebbe variare la funzionalità meccanica dell'iniettore, non saprei), se così fosse sarebbe da rivedere il tutto in termini di tensioni più elevate ed il mosfet non andrebbe bene in tensione.

saluti.

Re: Realizzazione circuito pilotaggio NMOS

MessaggioInviato: 12 nov 2018, 13:34
da adert
lelerelele ha scritto:Per quanto riguarda il pilotaggio personalmente non uso mai le resitenze, quella in serie c'è chi la usa, quella verso massa ritengo che non serva, perché è i pilotaggio a monte, che deve fornire un fronte ripido verso massa, ed a bassa impedenza, ne ottimizza il funzionamento senza resistore verso massa.

Resistenza in serie 10 Ohm serve a limitare la corrente nella fase di carica della capacita totale di Gate, transitorio di pilotaggio a on.
La resistenza da 1k verso massa male non fa, è una garanzia per tenere bloccato a off il mosfet in caso di instabilità o non efficace funzionamento del comando.
lelerelele ha scritto:la Vgs va da 1 a 2,5V, il pilotaggio deve essere ottimizzato entro questi valori, Ciò che non hai menzionato, ed è la parte maggiormente critica è il tipo di pilotaggio, sepecie con un mosfet con gate sensibile come questo

Il pilotaggio è già esistente e non so di che tipo, per cui la resistenza da 10 Ohm limita la corrente a 1,2A e la resistenza da 1k verso massa garantisce off in caso di instabilità del comando a off.
lelerelele ha scritto:Il mosfet, "pilotato correttamente" porta 180A, nel tuo caso arriverai ad 1A, quindi abbondantemente largo nei margini, la dissipazione su 1A, con RDSmax 4,3mohm sarebbe di 4,3mW, quindi non necessita di dissipatore, (se scalda è perché non lavora in condizioni decenti).

La dissipazione maggiore si ha nel transitorio da off a on e viceversa.
Se il comando ha una capacità limitata di generazione di corrente sul fronte di salita si avrà una carica della capacità totale di ingresso lenta per cui una andata in conduzione rampata con dissipazione di potenza sul mosfet, lo stesso per l'andata in off. Per cui è meglio mettere il dissipatore non conoscendo le performance del circuito di pilotaggio del gate.
adert ha scritto:Unico mio dubbio sarebbe la tensione massima, anche perché non conoscendo questo iniettore, dal punto di vista elettrico, non so se possa o meno dare problemi funzionali, mi riferisco al diodo di protezione messo in antiparallelo, (potrebbe variare la funzionalità meccanica dell'iniettore, non saprei), se così fosse sarebbe da rivedere il tutto in termini di tensioni più elevate ed il mosfet non andrebbe bene in tensione.

Il diodo in // alla bobina dell'iniettore oltre a proteggere il mosfet dalla tensione inversa che si genera durante l'andata in off accelera lo spegnimento dell'iniettore stesso cosa che è voluta, per averlo pronto alla successiva riaccensione, siamo max a 150 Hz.

Re: Realizzazione circuito pilotaggio NMOS

MessaggioInviato: 13 nov 2018, 10:22
da lelerelele
tu hai pienamente ragione, ma ti posso esporre il mio pensiero....

adert ha scritto:Resistenza in serie 10 Ohm serve a limitare la corrente nella fase di carica della capacita totale di Gate, transitorio di pilotaggio a on.
La resistenza da 1k verso massa male non fa, è una garanzia per tenere bloccato a off il mosfet in caso di instabilità o non efficace funzionamento del comando.
Io ho pilotato mosfet a 150KHz, senza resistenza di ingresso al gate, ed usando come pilota una coppia di BC327 e BC328, in configurazione push.pull e non ho avuto nessun problema. Se il pilota ti porta a massa l'ingresso del resistore da 10ohm, ti trovi un collegamento verso massa dato dal parallelo di 10ohm e di 1kohm, risultato il resistore da 1k non serve, inoltre esso carica anche se poco l'uscita a monte bene o male?

adert ha scritto:Il pilotaggio è già esistente e non so di che tipo, per cui la resistenza da 10 Ohm limita la corrente a 1,2A e la resistenza da 1k verso massa garantisce off in caso di instabilità del comando a off.
Io direi andiamo ala cieca.


adert ha scritto:La dissipazione maggiore si ha nel transitorio da off a on e viceversa.
Se il comando ha una capacità limitata di generazione di corrente sul fronte di salita si avrà una carica della capacità totale di ingresso lenta....
Quindi un impulso di corrente di pochi microsecondi, 150 volte al secondo, la potenza media trovo che sia molto bassa, no? rimango ancora della mia idea.


adert ha scritto:Il diodo in // alla bobina dell'iniettore oltre a proteggere il mosfet dalla tensione inversa che si genera durante l'andata in off accelera lo spegnimento dell'iniettore stesso cosa che è voluta, per averlo pronto alla successiva riaccensione, siamo max a 150 Hz.
Posso obiettare anche su questo? fermo restando che non ho testato questo iniettore, però se mi trovo una bobina in mano, la carico di energia e la apro, (ho realizzato ultimamante vari studi sui convertitori a rete) se blocco la tensione entro 5V avrò un tempo di scarica della energia 10volte più lungo che se la tensione la blocco a 50V, ti risulta?

bene, ho espresso la mia idea sbagliata, certo che da un hobbista non si può pretendere di più.

saluti.