Bande nel silicio e concentrazione accettori
Inviato: 18 lug 2019, 9:42Buongiorno! Vi chiedo per favore di aiutarmi a capire una questione. Ho un diodo metallo-pSi con funzione lavoro del metalli 
barriera shottky 
e potenziale built-in del contatto shottky rettificante tra i due materiali 
. Mi viene chiesto di trovare la concentrazione di accettori.
dove
e il potenziale termico
Sta di fatto che qui viene fatta l'approssimazione:
cioè le lacune sono circa uguali alla concentrazione di accettori. E fin qui OK si fa spesso. Ma poi la seconda equazione può essere un'altra teoricamente quasi equivalente:
Dove si considera la metà dell'energy gap
e quindi 
non è altro che 
e anche qui come prima solitamente si approssima.
Ora il problema vero:
Il primo calcolo dà
Il secondo:
la differenza è un ordine di grandezza quindi non è piccola. Forse perché qui ci sono troppe approssimazioni e nell'esponenziale si sentono. Voi cosa ne pensate?
barriera shottky e potenziale built-in del contatto shottky rettificante tra i due materiali . Mi viene chiesto di trovare la concentrazione di accettori. dove
e il potenziale termico
Sta di fatto che qui viene fatta l'approssimazione:
cioè le lacune sono circa uguali alla concentrazione di accettori. E fin qui OK si fa spesso. Ma poi la seconda equazione può essere un'altra teoricamente quasi equivalente:Dove si considera la metà dell'energy gap
e quindi non è altro che e anche qui come prima solitamente si approssima
.Ora il problema vero:
Il primo calcolo dà
Il secondo:
la differenza è un ordine di grandezza quindi non è piccola. Forse perché qui ci sono troppe approssimazioni e nell'esponenziale si sentono. Voi cosa ne pensate?