domanda sul rumore dei JFET
Salve a tutti,
sto progettando un LNA (low noise amplifier) che dovrebbe lavorare in una banda dai 10kHz ai 300kHz.
La sorgente ha un alta impedenza (100kohm), per cui ho scelto uno stadio di ingresso a JFET. nel datasheet dei JFET di solito trovo solo "en" (noise voltage density), ma mi aspettavo di trovare anche "in" (noise current density).
Per quale motivo la maggior parte dei datasheet dei JFET non riportano "in"?
Vuol dire che "in" = 0 ? Vuol dire che non vogliono mostrare il valore di questo parametro? Vuol dire che e' cosi' basso da non introdurre alcun effetto indipendentemente della resistenza dell' ingresso? Vuol dire che l'effetto di "in" e' incluso in "en"?
Spero che coloro che abbiano esperienza con amplificatori a basso rumore, possano darmi qualche dritta a riguardo.
Vi ringrazio anticipatamente. a presto
sto progettando un LNA (low noise amplifier) che dovrebbe lavorare in una banda dai 10kHz ai 300kHz.
La sorgente ha un alta impedenza (100kohm), per cui ho scelto uno stadio di ingresso a JFET. nel datasheet dei JFET di solito trovo solo "en" (noise voltage density), ma mi aspettavo di trovare anche "in" (noise current density).
Per quale motivo la maggior parte dei datasheet dei JFET non riportano "in"?
Vuol dire che "in" = 0 ? Vuol dire che non vogliono mostrare il valore di questo parametro? Vuol dire che e' cosi' basso da non introdurre alcun effetto indipendentemente della resistenza dell' ingresso? Vuol dire che l'effetto di "in" e' incluso in "en"?
Spero che coloro che abbiano esperienza con amplificatori a basso rumore, possano darmi qualche dritta a riguardo.
Vi ringrazio anticipatamente. a presto