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Esercizio elettronica dello stato solido

MessaggioInviato: 4 lug 2024, 19:40
da Alice8
Ciao a tutti, ho questo esercizio che mi sta lasciando più di un dubbio, vi espongo come ho provato a risolverlo io e spero in un aiuto nel capire dove sbaglio, grazie.

Un resistore integrato di forma quadrata di lato pari a L è ottenuto da uno strato di silicio di
tipo p spesso 10 μm e la sua resistenza, misurata a temperatura ambiente, è pari a 10 kΩ.
Drogando ulteriormente il resistore con drogante di tipo n la resistenza diviene pari a 1 kΩ.
Calcolare le concentrazioni dei due droganti NA e ND utilizzati.
Dati: μn = 1260 cm2/Vs ; μp = 460 cm2/Vs.

[...]
Eliminato testo su richiesta dell'autore/autrice.

Re: Esercizio Elettronica dello stato solido

MessaggioInviato: 4 lug 2024, 21:22
da Alice8
EDIT: non riesco a capire perché non riesco a cancellare il topic ma ho scovato l'errore e il risultato è molto più lineare, in caso mi legga un admin elimini pure il topic grazie :-)

Re: Esercizio elettronica dello stato solido

MessaggioInviato: 4 lug 2024, 23:25
da claudiocedrone
Alice8 ha scritto:... Non riesco a capire perché non riesco a cancellare il topic...

Per poter cancellare un post hai 30 minuti di tempo dalla pubblicazione trascorsi i quali non ti è più possibile.

Re: Esercizio elettronica dello stato solido

MessaggioInviato: 5 lug 2024, 14:53
da lelerelele
Potreti anche postare la soluzione, magari in futuro potrebbe servire a qualcuno.