Esercizio elettronica dello stato solido
Ciao a tutti, ho questo esercizio che mi sta lasciando più di un dubbio, vi espongo come ho provato a risolverlo io e spero in un aiuto nel capire dove sbaglio, grazie.
Un resistore integrato di forma quadrata di lato pari a L è ottenuto da uno strato di silicio di
tipo p spesso 10 μm e la sua resistenza, misurata a temperatura ambiente, è pari a 10 kΩ.
Drogando ulteriormente il resistore con drogante di tipo n la resistenza diviene pari a 1 kΩ.
Calcolare le concentrazioni dei due droganti NA e ND utilizzati.
Dati: μn = 1260 cm2/Vs ; μp = 460 cm2/Vs.
[...]
Eliminato testo su richiesta dell'autore/autrice.
Un resistore integrato di forma quadrata di lato pari a L è ottenuto da uno strato di silicio di
tipo p spesso 10 μm e la sua resistenza, misurata a temperatura ambiente, è pari a 10 kΩ.
Drogando ulteriormente il resistore con drogante di tipo n la resistenza diviene pari a 1 kΩ.
Calcolare le concentrazioni dei due droganti NA e ND utilizzati.
Dati: μn = 1260 cm2/Vs ; μp = 460 cm2/Vs.
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