ElectroYou

Buona sera a tutti,
Ma perché si dice che i transistor MOSFET sono comandati in tensione ? Grazie per le risposte

Etemenanki ha scritto:https://www.edutecnica.it/elettronica/mosfet/mosfet.htm

https://www.edutecnica.it/elettronica/mosfet/mosfet.htm ha scritto:Per fabbricare un MOSFET ad arrichimento, si prende una sbarretta di semiconduttore debolmente drogato di tipo p

Anche quello che ha scritto questa roba era drogato, ma non debolmente.

pico, dalla domanda penso di capire che sei agli inizi. Per farla semplice, per imporre una certa corrente attraverso il canale di un mosfet devi mantenere costante la tensione sul gate. Questa tensione (che, per quando sarai avanzato nella materia, in realtà è l'espressione di una carica che controlla il canale) non produce un flusso di corrente. La situazione è statica e in un mondo ideale potrei staccare il gate dal resto del circuito e continuerei ad avere la stessa corrente sul canale del mosfet.

In un transistor bipolare, invece, questa carica devo continuamente re-introdurla sulla base. Devo fornire una corrente (che a sua volta impone una tensione sulla giunzione).

Va bene come risposta?
Devo dire che la domanda è estremamente triviale per chi ha un minimo di dimestichezza con la materia, quindi mi risulta difficile capire a che livello sei e se la risposta è comprensibile o fumosa.

Boiler

boiler ha scritto:potrei staccare il gate dal resto del circuito e continuerei ad avere la stessa corrente sul canale del mosfet.

Infatti, quando proviamo un Mosfet con un ohmetro sul drain e una pila da 9V sul gate, anche dopo avere staccato la pila quello rimane in conduzione.

Be', si, elettricamente, il gate e' equivalente ad un condensatore, finche' la sua corrente di perdita (che e' mooooolto bassa) oppure qualcos'altro che tocca il terminale di gate non lo scarica, resta abbastanza carico per mantenere la conduzione.

boiler ha scritto:Anche quello che ha scritto questa roba era drogato, ma non debolmente.

Non l'ho scritto io (ma comunque non ho controllato prima di linkarlo, quella e' colpa mia).

Ok ho capito, grazie a tutti per le risposte e auguri di buon Natale

pico da dove stai studiando? i libri di elettronica non mancano e i principali che conosco spiegano l'argomento molto bene.

boiler ha scritto:
In un transistor bipolare, invece, questa carica devo continuamente re-introdurla sulla base. Devo fornire una corrente (che a sua volta impone una tensione sulla giunzione).

Ma questa visione, magari non usuale, da dove discende?
Normalmente la corrente di base viene considerata un effetto collaterale ed indesiderato della polarizzazione diretta della giunzione BE del BJT.
I portatori maggioritari in E, per effetto di una tensione esterna che abbassa la barriera intrinseca nella zona di svuotamento alla giunzione BE, passano in B dove sono minoritari ed (1) in parte (piccola) si ricombinano con i maggioritari ivi presenti ed in parte raggiungono la vicina altra giunzione e volano in C. Sempre per effetto della tensione esterna un flusso di (2) maggioritari in B passano in E per ricombinarsi.
Questi due flussi (1)+(2) di cariche formano la corrente IB.
I vari modelli (Gummel, Ebers-Moll) usano VBE e VBC come parametri indipendenti.
Potresti meglio spiegare la tua osservazione?
Non metto in dubbio che nei FET una volta caricato il Gate devo fornire corrente pressoché nulla per mantenere il canale, mentre nei BJT ho quella malefica IB che devo costantemente fornire, ma non perché così facendo mantengo aperto "un canale" al contrario: mi viene succhiata dalla bassa impedenza che "si vede" da B verso E.
A parte tutte le considerazioni circuitali ad "alto livello" (IC=beta*IB) mi piacerebbe capire il meccanismo che vedi a livello di portatori di carica, concentrazioni, campi elettrici ecc.

È verissimo che la corrente attraverso il transistor è una funzione di Vbe, ma questo vale solo per una certa condizione di utilizzo, quella forward active. In saturazione, invece, Ic diventa indipendente da Vbe.

Parlare di correnti è, come scrivi, una modellizzazione macroscopica, che però è piú genericamente valida e quindi quella comunemente adottata.

Sinceramente se vuoi parlare di fisica dei semiconduttori probabilmente non sono la persona piú qualificata, sono passati troppi anni

Boiler

La giunzione base-emettitore del BJT e' elettricamente equivalente ad un diodo, quella di gate dei mosfet elettricamente equivale ad un condensatore, per quello sul gate, una volta raggiunta la tensione desiderata, non scorre corrente (a parte le bassissime correnti di perdita, cambia da dispositivo a dispositivo ma in media siamo sul range dei nanoampere)

Ho trovato questo PDF sui mosfet, pieno di "stramaledette formule" per i maniaci delle suddette , sembra fatto un po meglio del link precedente.

https://www.docenti.unina.it/webdocenti ... o/34215693