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salve a tutti, non riesco proprio a trovare i modelli di alcuni componenti:

-BS170 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
-BF494 NPN RF Transistor
-BF256C N-Channel RF Amplifiers
-BAT85 Small signal Schottky diodes

sarà che non sono molto pratico, ma non riesco proprio a trovarli, se qualcuno potesse aiutarmi...

O_/

darkweader ha scritto:BS170 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Codice: Seleziona tutto

*BS170/MMBF170 at Temp. Electrical Model
*-----------------------------------------
.SUBCKT BS/MMBF170  20 10 30 50
*20=DRAIN 10=GATE 30=SOURCE 50=VTEMP
Rg 10 11x 1
Rdu 12x 1 1u
M1 2 1 4x 4x DMOS L=1u W=1u
.MODEL DMOS NMOS(VTO=2.9 KP=8.2E-1
+THETA=0.05 VMAX=0.8E5 LEVEL=3)
Cgs 1 5x 27p
Rd 20 4 3.8E-1 
Dds 5x 4 DDS
.MODEL DDS D(M=4.78E-1 VJ=1.22 CJO=27p)
Dbody 5x 20 DBODY
.MODEL DBODY D(IS=1.94E-12 N=1.201763 RS=0.00355 TT=43.65n)
Ra 4 2 3.8E-1 
Rs 5x 5 0.5m
Ls 5 30 0.5n
M2 1 8 6 6 INTER
E2 8 6 4 1 2
.MODEL INTER NMOS(VTO=0 KP=10 LEVEL=1)
Cgdmax 7 4 58p
Rcgd 7 4 10meg
Dgd 6 4 DGD
Rdgd 6 4 10meg
.MODEL DGD D(M=4.25E-1 VJ=8.38E-2 CJO=58p)
M3 7 9 1 1 INTER
E3 9 1 4 1 -2
*ZX SECTION
EOUT 4x 6x poly(2) (1x,0) (3x,0) 0 0 0 0 1
FCOPY 0 3x VSENSE 1
RIN 1x 0 1G
VSENSE 6x 5x 0
RREF 3x 0 10m
*TEMP SECTION
ED 101 0 VALUE {V(50,100)}
VAMB 100 0 25
EKP 1x 0 101 0 .82
*VTO TEMP SECTION
EVTO 102 0 101 0 .005
EVT 12x 11x 102 0 1
*DIODE THEMO BREAKDOWN SECTION
EBL VB1 VB2 101 0 .08
VBLK VB2 0 60
D 20 DB1 DBLK
.MODEL DBLK D(IS=1E-14 CJO=.1p RS=.1)
EDB DB1 0 VB1 0 1
.ENDS BS/MMBF170
*BS170/MMBF170 (Rev.B) 8/6/02 **ST

Da qui

-BAT85 Small signal Schottky diodes

Codice: Seleziona tutto

**********************************
* Model created by *
* Uni.Dipl.-Ing. Arpad Buermen *
* arpad.burmen@ieee.org *
* Copyright: *
* Thomatronik GmbH, Germany *
* info@thomatronik.de *
**********************************
* February 2001
* SPICE3
.subckt bat85 1 2
ddio 1 2 legd
dgr 1 2 grd
.model legd d is = 8.62316E-008 n = 1.15214 rs =
1.48252
+ eg = 0.590979 xti = 2.5
+ cjo = 1.43602E-011 vj = 0.250022 m = 0.365636 fc
= 0.5
+ tt = 0.1e-9 bv = 33 ibv = 0.1 af = 1 kf = 0
.model grd d is = 1E-015 n = 1.03925 rs = 0.869
+ eg = 1.18918 xti = 3.5
.ends

Da qui

-BF494 NPN RF Transistor

Il BF494 sembra essere stato sostituito dal BF240

che puoi trovare per esempio in questa "Collezione"

BJT spice model.rar: (38.26 KiB) Scaricato 193 volte

grazie mille

ultima cosa, BFS17P

anche perché quelli che trovo io non sono sicuro siano giusti...
in ogni caso posso creare il modello partendo dal datasheet o è complicato e potrebbe non avere risultati positivi?

darkweader ha scritto:...in ogni caso posso creare il modello partendo dal datasheet o è complicato e potrebbe non avere risultati positivi?

Si, e' possibile ma complicato.
E' comunque molto interessante vedere la metodologia applicata, per esempio per i BJT.

http://old.iihr.uiowa.edu/~hml/people/k ... iceBJT.pdf

BFS17P ...

Codice: Seleziona tutto

*ZETEX  BFS17 Spice model   Last revision 9/3/93
*
.MODEL BFS17  NPN IS =4.9E-16 NF =.993 BF =93 VAF=90 IKF=.055 
+             ISE=1E-14 NE =1.800 BR =25 var=6 NR =1.005 IKR=.01 
+             ISC=4.5E-15 NC =1.2 RB =7 RBM=.5 IRB=5E-4 RE =.5 
+             RC =2.0 TF =5E-11 XTF=100 ITF=2.3 TR =2.4E-8 
+             CJE=1.18E-12 CJC=1.54E-12 VJC=.559 MJC=.25 VJE=1.12 
+             MJE=.4
*
* NOTE: FOR RF OPERATION ADD PACKAGE INDUCTANCE OF 1.2E-9H PER LEAD
*
*                          (C)  1993 ZETEX PLC

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