Transistor su LTSpice IV
Inviato: 27 giu 2013, 12:49
Salve,
ho alcuni problemi con i transistor bipolari.
Sto cercando di imparare ad usare LTSpice e ho cercato di fare una simulazione con un semplice circuito di polarizzazione per i BJT con due alimentazioni. Al momento sono interessato solo agli effetti del primo ordine.
Il problema che ho è il seguente: avvio una simulazione di 500ms e controllo le correnti nella resistenza collegata alla base e in quella collegata al collettore. Facendo il rapporto tra Ic ed Ib mi viene fuori che il beta di qualsiasi transistor è sempre circa 3, com'è possibile? Leggendo qua e là ho capito che si possono definire nuovi transistor con la direttiva .model e definire il beta del transistor con il parametro BF, allora ho provato con:
e ho chiamato il transistor che stavo usando "MARCO2000" ma non è cambiato assolutamente nulla. Dove sbaglio?
Il circuito è questo:
I risultati numerici sono:
Ib=-3.67mA (presa "entrante" nella base quindi in verso opposto a quello che interessa a me visto che il transistor è in zona attiva)
Ic=8.75mA
Vi ringrazio!!
ho alcuni problemi con i transistor bipolari.
Sto cercando di imparare ad usare LTSpice e ho cercato di fare una simulazione con un semplice circuito di polarizzazione per i BJT con due alimentazioni. Al momento sono interessato solo agli effetti del primo ordine.
Il problema che ho è il seguente: avvio una simulazione di 500ms e controllo le correnti nella resistenza collegata alla base e in quella collegata al collettore. Facendo il rapporto tra Ic ed Ib mi viene fuori che il beta di qualsiasi transistor è sempre circa 3, com'è possibile? Leggendo qua e là ho capito che si possono definire nuovi transistor con la direttiva .model e definire il beta del transistor con il parametro BF, allora ho provato con:
Codice: Seleziona tutto
.model MARCO2000 PNP(BF=30)e ho chiamato il transistor che stavo usando "MARCO2000" ma non è cambiato assolutamente nulla. Dove sbaglio?
Il circuito è questo:
Codice: Seleziona tutto
"ExpressPCB Netlist"
"LTspice IV Version 4.19e"
1
0
0
""
""
""
"Part IDs Table"
"Re" "1k" ""
"Rc" "10k" ""
"Rb" "10k" ""
"Q1" "MARCO2000" ""
"-VCC" "-50V" ""
"VEE" "50V" ""
"Net Names Table"
"N001" 1
"N002" 3
"N004" 5
"N005" 7
"0" 9
"N003" 12
"Net Connections Table"
1 1 1 2
1 6 1 0
2 1 2 4
2 4 3 0
3 2 1 6
3 4 1 0
4 2 2 8
4 5 1 0
5 3 1 10
5 5 2 11
5 6 2 0
6 3 2 13
6 4 2 0
I risultati numerici sono:
Ib=-3.67mA (presa "entrante" nella base quindi in verso opposto a quello che interessa a me visto che il transistor è in zona attiva)
Ic=8.75mA
Vi ringrazio!!