ElectroYou

volevo provare a creare un sensore di prossimità utilizzando:
-5mm IR Infrared LED 940nm;
-Phototransistors;

circuiti:

un primo circuito che vede in serie il led ad infrarossi con una resistenza,
un secondo circuito che vede in serie il phototransistor e una resistenza con lo scopo di partitore di tensione,
tensione di alimentazione 6V.

l'obbiettivo ultimo è quello di avere una variazione di tensione superiore a 1V sul phototransistor (con e senza ostacoli)

volevo sapere in particolare:
-tensione nominale (o ammissibile) del led IR;
-resistenze da applicare nei circuiti per avere variazione >1V sul phototransistor:

spero di essere stato chiaro nelle spiegazioni

l'obbiettivo ultimo è quello di avere una variazione di tensione superiore a 1V sul phototransistor (con e senza ostacoli)

... e anche su tutto il resto ti risponderei con un bel:
Ciao!

dopo 2 annetti sono a risponderti ^^

Con e senza ostacoli intendevo:
quando il fascio ad infrarossi trova un ostacolo sul suo percorso e quindi riflette sul phototransistor, e quando invece l'orizzonte è pulito ed il fascio ad infrarossi va a disperdersi nel nulla.

Il resto invece mi sembrava tutto chiaro.