lostsheep ha scritto:Ho afferrato il concetto?
a me non pare...almeno non del tutto, o forse è la frase italiana un po' ingarbugliata che non ti è venuta benissimo

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Ti faccio un esempio banale proprio con l'hFE, così ci capiamo, riferendomi al classico circuito di polarizzazione:
Data la Ic, attraverso hFE determini la corrente di base che il transistor vorrà assorbire per restare in zona attiva. Supponiamo che tu abbia scelto la Ic = 2.0mA, che l'alimentazione sia di 12 V e che tu voglia Vb = 2V
Dalle specifiche hai, come da te segnalato, hFE da 400 a 820. Con una semplice divisione, ottieni che la Ib andrà da 2mA/400 = 5uA a 2mA/820 = (circa)2,2uA.
Con questi dati puoi progettare la maglia di polarizzazione di ingresso. Il rapporto di partizione dovrà essere 1/6, ma a quanto metterai la corrente sulla maglia di polarizzazione, o per meglio dire, come dimensioni l'ordine di grandezza delle R?
Scegliamo per esempio R1 = 500k, R2 = 100k. Il rapporto di partizione

da 1/6, quindi in teoria la Vb dovrebbe essere proprio 2V. Quanto sarà invece?
beh, senza star lì a fare i conti e ragionando a spanne, che tanto non cambia niente...su una 600k (considerando R1 e R2 in serie) passa una corrente di 12/600k A = 20uA, il transistor ne vuole da 2 a 5 quindi nel caso fortunato (hFE = 820) avrai la Vb più bassa dell' 11% (2,2uA su 20uA), e quindi circa a 1,8V, in quello sfortunato sarà più bassa del 25% (5uA su 20uA), e quindi a 1,5V.
credo sia chiaro che se invece avessimo scelto R1 e R2 dieci volte più piccole, avremmo avuto un cambiamento molto minore fra i due casi di hFE minimo e massimo, pagandolo però con una corrente più alta sul ramo di polarizzazione.
E se invece avessimo usato un transistor con un hFE schifoso, tipo da 50 a 100? evidentemente, anche con le resistenze dell'ordine delle decine di k avremmo ancora problemi, perché la corrente di base sarebbe ancora troppo grossa.
Dunque la conclusione è questa: quando scegli un componente lo devi scegliere pensando al circuito in cui andrà a funzionare, o detto in altri termini alle specifiche di progetto. Un transistor con hFE da 50 a 100 può essere più che sufficiente in tanti casi, e siccome costa meno, perché non usarlo? nel nostro caso, per esempio, se non vi fosse nessuna richiesta sulla corrente assorbita, ed il guadagno dello stadio fosse basso, potremmo tranquillamente usare un BJT con hFE 50 mettendo R1 a 5k e R2 a 1K...
Rileggendo 'sta pappardella non sono sicuro di essere riuscito a spiegarmi bene...beh, la posto che non ho tempo di rileggere e correggere, se ti sembra che ti incasini lascia stare

tutto questo comunque era per cercare di chiarirti che, molte volte, i dati che trovi nei datasheets non li "usi" direttamente, ma li consideri solo come "limite massimo" dal quale prendere le dovute distanze. In pratica non calcoli "Ib=Ic/hFE", ma pensi "devo dimensionare le resistenze in modo che anche se hFE è il minimo, la tolleranza delle resistenze fa schifo, l'alimentazione non è stabile né precisa, il transistor è mezzo danneggiato, piove a dirotto, fa freddo e l'Italia ha perso a calcio contro Cipro, comunque la maglia di polarizzazione darà corrente a sufficiente alla base"...