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Differenza Half Bridge DRV 6569 - 6569A

Elettronica lineare e digitale: didattica ed applicazioni

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[1] Differenza Half Bridge DRV 6569 - 6569A

Messaggioda Foto UtenteSte75 » 29 mag 2012, 11:14

Ciao.

Chiederei a qualcuno che ha tempo/voglia o che magari già conosce il prodotto, se mi aiuta a capire la differenza tra queste due versioni di integrato: L6569 e L6569A.
Si parla di un driver per mezzo ponte con oscillatore "interno", della ST.

Sostanzialmente tramite RC decido la freq di oscillazione e poi rende disponibile in uscita il pilotaggio di due gate di NMOS (tramite capacità di boostrap accendo quallo alto) per fare un mezzo ponte alta tensione.

Una peculiarità è che NON necessita il diodo di boostrap perché c'è integrata una cella che fa questo lavoro.
Proprio su questo sembra che si giochi la diversità tra versione con o senza "A".

Riporto qui lo schema a blocchi interno:

L6569.PNG
L6569.PNG (30.54 KiB) Osservato 865 volte


E qui l'immagine presa dal data sheet riguardo la differenza tra le due versioni.
schematic L6569.PNG
schematic L6569.PNG (21.36 KiB) Osservato 865 volte

schematic L6569A.PNG
schematic L6569A.PNG (20.18 KiB) Osservato 865 volte


Questa invece è la descrizione tratta dal data sheet

"The L6569 has an internal Bootstrap structure that enables the user to avoid the external diode needed, in similar devices, to perform the charge of the bootstrap capacitor that, in turns, provide an appropriate driving to the Upper External Mosfet.
The operation is achieved with an unique structure (patented) that uses a High Voltage Lateral DMOS driven by an internal charge pump (see Block Diagram) and synchronized, with a 50 nsec delay, with the Low Side Gate driver (LVG pin), actually working as a synchronous rectifier .
The charging path for the Bootstrap capacitor is closed via the Lower External Mosfet that is driven ON (i.e. LVG High) for a time interval:
TC = RF · CF · ln2 → 1.1 · RF · CF
starting from the time the Supply Voltage VS has reached the Turn On Voltage (VSUVP = 9 V typical value).
After time T1 (see waveform Diagram) the LDMOS that charges the Bootstrap Capacitor, is on with a RON=120Ω (typical value).
In the L6569A a different start up procedure is followed (see waveform Diagram). The Lower External Mosfet is drive OFF until VS has reached the Turn On Threshold (VSUVPp), then again the TC time interval starts as above.
Being the LDMOS used to implement the bootstrap operation a "bi-directional" switch the current flowing into the BOOT pin (pin 8) can lead an undue stress to the LDMOS itself if a ZERO VOLTAGE SWITCHING operations is not ensured, and then an high voltage is applied to the BOOT pin. This condition can occur, for example, when the load is removed and an high resistive value is placed in series with the gate of the external Power MOS. To help the user to secure his design a SAFE OPERATING AREA for the Bootstrap LDMOS is provided (fig. 7). "


Ora... l'ho letto mille volte ma non capisco bene in cosa consiste la differenza tra i due... o meglio, in che caso è importante poter avere la funzione della versione "A".

Provo a scrivere cosa ho capito, con i miei dubbi (in rosso):

1. nella versione semplice, il MOS basso è acceso da subito. La tensione (Vboot-Vout) sale praticamente da subito cioè da quando la tensione di alimentazione Vs cresce. Domanda: ma allora qui quello che chiamano LDMOS (cioè il Lateral DMOS interno) è già acceso?
2. Quando Vs raggiunge il valore di Turn On, allora la cella RC esterna inizia a caricarsi e Vcf inizia a salire. Quando poi Vcf arriva alla soglia superiore, scatta il comparatore che fa scaricare Cf e fa accendere il MOS alto che è acceso dalla tensione disponibile su Cboot.
3. Poi quando Cf raggiunge la soglia bassa, scatta ancora comparatore, di riaccende MOS basso, C boot va avanti a caricarsi fino a Vs.

Nel caso con lettera "A" sembra che l'unica differenza è che il MOS basso rimane SPENTO finché non raggiungo V Turn ON. Infatti nel grafico in basso la Vboot-Vout rimane a zero. Domanda: quindi in questo tempo è acceso quello alto? E il LDMOS è acceso? Boh.

Ma sopratutto dopo quello che chiamano T1, tutto resta uguale.

Quindi mi chiedo: in cosa consiste la differenza?? Ok, nel data sheet parlano che essendo il MOS bidirezionale (cosa che non era un diodo) potrebbero esserci problemi in alcuni casi di NON zero voltage switching.... Boh...
Non capisco perché o come...

Spero in qualche dritta.

Ciao
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