Nel 2013 (come macina il tempo), ho scritto questo articolo dedicato all'uso di un tracciacurve ed all'analisi dei risultati:
https://www.electroyou.it/darwinne/wiki ... cteristics
In questa discussione, ad inizio settembre 2020 si discuteva con

viewtopic.php?t=81881&p=860706#p860696
Quello che avevo ottenuto all'epoca con un transistor 2N3055 relativamente recente (insomma: anni 1980/1990 credo, non c'è un datecode o si è cancellato) è questa curva qui:

Le due curve sono diverse! Ecco una foto del transistor, sul supportino Tektronix pour componenti in case TO3:
La cosa è interessante perché ho potuto leggere un bell'articolo dedicato allo sviluppo e la storia del 2N3055:
Ellis, J. N., & Osadchy, V. S. (2001). The 2N3055: a case history. IEEE Transactions on Electron Devices, 48(11), 2477-2484.
L'articolo fra le altre cose ci informa che il 2N3055 è stato sviluppato in RCA fra il 1959 ed il 1964 ed era originariamente prodotto con un processo chiamato "hometaxial base". Ecco un estratto della descrizione:
Ad un certo punto, presumibilmente all'inizio degli anni 1970, l'evoluzione dei processi produttivi ha portato i fabbricanti di dispositivi a passare ad un processo epitassiale, più facile da realizzare su wafer di taglia maggiore. Devo dire che l'articolo non è chiarissimo su questo punto (e non solo...), in particolare su quando il processo del 2N3055 è stato modificato.
Ora si vede che le due curve dei due transistor di cui sopra hanno delle differenze evidenti!
- Il 2N3055 "recente" ha una regione di quasi-saturazione (le curve sono leggermente "piegate" per tensioni relativamente piccole, come se ci fosse una resistenza in serie al transistor saturato).
- Il 2N3055 del 1969 non mostra questa regione!
- I due transistor hanno un'amplificazione in corrente (un "beta") simile, leggermente superiore per il 2N3055 "recente"
Mi sembra plausibile che il 2N3055 del 1969 sia ancora stato prodotto con il tradizionale processo "hometaxial base" (base ometassiale???

Sarebbe interessante ora comparare la frequenza di transizione, che dovrebbe essere più elevata per il transistor "recente". Se ho tempo, ci darò un'occhiata.