Nel diagramma SOA l'iperbole dei 100ms (è rappresentata come un segmento a causa della rappresentazione log-log, ma è una iperbole a potenza costante) permette circa 30W.
Detto questo una decina di watt potrebbero essere possibili in DC, fermo restando di risolvere il problema della resistenza termica statica, il raffreddamento insomma e della stabilità del punto di lavoro.
Ma, ci sono alcuni ma....
primo si deve dire che queste curve SOA sono sempre un po' un atto di fede, per confessione di un amico che le realizza, spesso sono copia ed incolla di roba anni 80 (non questa in oggetto che è di un dispositivo "giovane") altre volte sono simulazioni del silicio (molti dettagli vanno persi) altre volte sono estrapolazioni di alcuni set di misure.
Quella del MOS in oggetto pare fin troppo "ideale" e un po' di dubbi me li lascia, non c'è traccia di Sprito effect ad esempio.
In due parole l'effetto Spirito è semplicemente una valanga termica localizzata dovuta al coefficiente di temperatura positivo della ID.
Se un punto della die è più caldo questo lascia passare più corrente e allora si scalda ancora di più e così via fino alla rottura.
Questo avviene anche se un circuito esterno di feedback mantiene la ID totale costante, è costante ma invece di distribuirsi su tutta la die tende a concentrarsi in un solo punto.
Quindi, in tutti i casi a meno di non avere un margine di almeno un ordine di grandezza un pensiero o due lo farei.
I MOS in zona lineare sono sempre un problema, MOS "vecchi" sono migliori da questo punto di vista mentre le nuove generazioni sempre più ottimizzate per la commutazione veloce e basse perdite di conduzione patiscono di più la zona lineare.
Praticamente nessun costruttore garantisce niente, solo Ixys ha una linea di MOS per uso lineare, ma costano un rene.
Il che non vuol dire che MOS "normali" non si possano usare, ma solo che si deve diminuire molto la potenza dissipabile, non è raro pensare a MOS da 100W per dissiparne 10W.
Da questo punto di vista il MOS proposto è un SiC che è una tecnologia relativamente nuova, a livello di dispositivo intero mostra un coefficiente di temperatura della ID=f(VGS) decisamente positivo
che in effetti dà da pensare male.
Certo una prova si può fare, al peggio si rompe un dispositivo, alternativamente un cascode di MOS Si vecchiotti potrebbe essere una buona idea, se ben ricordo degli IRFPG50 davano buoni risultati, 2 o 3 in serie di basterebbero.