Innanzitutto
: in genere viene "calato dall'alto", senza troppe spiegazioni. Viene ovviamente approfondito se uno segue un corso di fisica dei dispositivi a semiconduttore.Cercherò quindi di essere breve e non troppo ostico.
è generalmente conosciuto come ideality factor e, molto semplicemente, indica quanto fedelmente il diodo reale segue l'equazione ideale classica
Questa equazione viene ottenuta basandosi su determinate assunzioni (che qui non approfondisco). In pratica però vi sono effetti secondari a causa dei quali il diodo non segue più tale equazione: l'ideality factor fornisce un modo per tenerne conto.
Se
allora il diodo è per forza di cose un ottimo diodo, ideale.Molto succintamente, il fattore
dipende dal tipo di ricombinazione che avviene entro la giunzione. Ripeto, approfondire a questo punto significherebbe entrare in un campo che generalmente esula dai corsi tipici di Elettronica Applicata, quindi preferisco non insistere.Molto più interessante è esaminare invece la curva caratteristica di un diodo plottata usando una scala logaritmica per le ordinate. In tal modo si possono evidenziare 4 regioni.
Si vede subito la regione in cui il diodo si comporta come un diodo ideale: (
), fino a 0,6 V circa: in questa regione la corrente aumenta di un ordine di grandezza per ogni incremento di tensione di circa 60 mV (per la precisione sarebbero 59,6 mV/decade).
La regione precedente quella avente
è quella in cui la corrente è originata principalmente dal fenomeno di ricombinazione denominato Shockley-Read-Hall (SRH): qui il valore di
é circa 2.A destra della regione ideale, la corrente inizia a venire limitata dai fenomeni di ricombinazione conosciuti come high injection effects e dalla resistenza serie del diodo stesso.
Molto brevemente, il fenomeno di high injection si verifica quando la densità dei portatori di carica minoritari iniettati nella giunzione supera la densità dei drogaggio: in pratica il fenomeno inizia a manifestarsi per primo nella regione di semiconduttore a drogaggio più basso, in quanto in essa vi sono meno portatori di carica minoritari presenti.
In questa regione l'ideality factor passa dal valore 1 al valore circa 2.
Proseguendo, e aumentando ulteriormente la tensione applicata ai capi della giunzione del diodo, la corrente non incrementa più in modo esponenziale, ma bensì linearmente.
Questo a causa della resistenza serie del diodo, che origina da: la resistenza dei contatti tra il metallo dei reofori e il semiconduttore (vengono chiamati appunto contatti ohmici), la resistività del semiconduttore stesso, la resistenza dei reofori veri e propri.
Tutto ciò fa sì che, ancora una volta,
cambi, e assuma valori decisamente maggiori di 2, come si può anche desumere osservando il grafico, dove per comodità sono state tratteggiate le rette aventi inclinazioni corrispondenti a
e
.Questo grafico è comunque puramente indicativo: la regione 3 (quella ove si verifica il fenomeno della high injection) non è in genere così evidente, in quanto la limitazione di corrente inizia ad avvenire già grazie alla resistenza ohmica serie del diodo.
In conclusione, sembra che le tue misure rispecchino tutto quanto ho fino qua succintamente esposto.
Ripeto, succintamente, perché una trattazione più esaustiva avrebbe richiesto molte più righe (e molte più formule
Credo che lo scopo delle misure che il prof vi ha fatto fare sia (spero) proprio quello di mettervi in imbarazzo con
. Credo che il prof vi spiegherà poi il perché di tale comportamento, magari in maniera più approfondita di quanto non abbia fatto io.Max

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e quindi non posso più approssimare la corrente alla formula che hai scritto tu ma a
con i valori misurati, posso in ogni caso utilizzare i valori che ho scelto su quelle misurazioni o mi conviene prendere i valori sulla curva a gomito dell'esponenziale? perché dal grafico che hai fatto tu, mi pare di capire di dover prendere un 

: essendo questa dipendente dalla pendenza della caratteristica V-I del diodo, la puoi definire una volta stabilito il punto di lavoro del diodo.
) è probabile che la resistenza ohmica pure e semplice del complesso semiconduttore-contatti ohmici-reofori predomini ampiamente sulla resistenza dinamica vera e propria.
.
trovati. Quindi penso sia solo un problema algebrico di invertire la formula e basta senza dover fare derivate.
è ovvio che fai prima a calcolare 


, mentre con valori bassi 

