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Esercizio punto di lavoro NMOS

Elettronica lineare e digitale: didattica ed applicazioni

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[11] Re: Esercizio punto di lavoro NMOS

Messaggioda Foto UtenteBernheart » 26 gen 2016, 21:33

Sì, ma la condizione per la saturazione non è
V_{GS} \geq V_{DS} - V_{Th} ma
V_{GS} > V_{DS} - V_{Th}

mentre la condizione per la zona lineare è:

V_{GS} < V_{DS} - V_{Th}

Quindi se si verifica che V_{GS} = V_{DS} - V_{Th}, allora mi ritrovo nel caso limite tra saturazione e zona lineare: perché il transistor è in saturazione e non in zona lineare?
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[12] Re: Esercizio punto di lavoro NMOS

Messaggioda Foto UtenteStokes » 26 gen 2016, 22:02

E' quello che ho detto :mrgreen:
Il transistor è al limite tra le due zone, cioè il punto di pinch-off coincide esattamente con il drain. Se usi la formula per la corrente in zona lineare/ohmica vedrai che i conti tornano. A rigore questa polarizzazione 'borderline' non consentirebbe al circuito di amplificare correttamente, perché il segnale lo farebbe passare da una zona all'altra. D'altro canto se dai un'occhiata alla curva caratteristica I_{DS}-V_{DS} puoi vedere che la differenza è piccola, quindi - trattandosi di un esercizio - credo che in questo caso si possa linearizzare ugualmente il circuito e fare l'analisi di piccolo segnale come al solito. Certo, sarebbe bastato scegliere il punto di lavoro più intelligentemente...
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[13] Re: Esercizio punto di lavoro NMOS

Messaggioda Foto UtenteBernheart » 26 gen 2016, 22:19

Cioè secondo te possiamo considerare il transistor come fosse in saturazione, perché si tratta di un esercizio e quindi per semplicità.
Certo, proprio da 1k ohm doveva essere quella resistenza...
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