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Pilotaggio transistor e mosfet

Elettronica lineare e digitale: didattica ed applicazioni

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[11] Re: Pilotaggio transistor e mosfet

Messaggioda Foto Utenteboiler » 31 mag 2022, 21:35

mPol ha scritto:La corrente iniziale per caricare il gate del mosfet potrebbe essere eccessiva per lo zener e alla lunga lo ditruggerebbe. Penso, forse sbagliando, che il gate appena chiuso il contatto cercherebbe di tirare quanta più corrente possibile per caricare Qg e solo dopo la corrente verrebbe limitata dalla resistenza tra gate e source. Sbaglio?

Non sbagli, il ragionamento in sè è corretto.
Però le grandezze in gioco sono tali da non essere un problema reale.

Prima di tutto i diodi zener (che sopra i 5.6 V in realtà non sono diodi zener ma diodi ad effetto valanga) sono costruiti per lavorare in breakdown, possono starci indefinitamente e non subiscono danni.
Poi, la corrente non ripetitiva impulsiva per un comune diodo zener da 12 V THT è dalle parti delle 6 A durante 0.1 ms. Quel mosfet ha circa 2 nF di capacità di ingresso.

6 A porterebbero 2 nF a 300 kV nel giro di 0.1 ms. Questo per darti un'idea delle grandezze in gioco.

Quanto sia l'effettiva corrente di picco è praticamente impossibile da dire perché dipende da molti elementi parassiti del circuito che non ci sono noti. Però sappiamo che sarà estremamente breve e non sufficiente a causare un danno termico al diodo.

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[12] Re: Pilotaggio transistor e mosfet

Messaggioda Foto UtentemPol » 1 giu 2022, 16:32

boiler ha scritto:Non sbagli, il ragionamento in sè è corretto.

allora non ho proprio una gran confusione in testa :D
boiler ha scritto:sopra i 5.6 V in realtà non sono diodi zener ma diodi ad effetto valanga

ho cercato di capire leggendo un po cos'è l'effetto valanga... ci sto lavorando ?^!
boiler ha scritto:6 A porterebbero 2 nF a 300 kV nel giro di 0.1 ms. Questo per darti un'idea delle grandezze in gioco.

questo è un esempio pratico dove la teoria (la mia supposizione) si scontra con la realtà (le vostre risposte). Sembrerà buffo, ma queste poche risposte mirate mi hanno messo un po in ordine i concetti che avevo in testa, mi hanno fatto osservare lo schema in un'altra prospettiva e mi sono serviti ad accrescere il mio piccolo bagaglio sull'elettronica. VI RINGRAZIO RAGAZZI PER IL VOSTRO CONTRIBUTO!!!
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[13] Re: Pilotaggio transistor e mosfet

Messaggioda Foto Utentedjnz » 1 giu 2022, 17:22

Mi aspettavo qualche considerazione sullo spunto iniziale, ero indeciso se lasciare una resistenza in serie allo zener (o al gate) per "evitare confusione", e invece mi fa piacere che sia arrivata. Il motivo per cui non fa danno (in questo caso) è appunto la pochissima energia in gioco:

E = \frac{1}{2} \cdot C \cdot V^2 = 0.5 \cdot 2\cdot 10^{-9} \cdot 24^2 = 5.76 \cdot 10^{-7} J

oltre al fatto che la corrente, seppur teoricamente infinita all'istante iniziale, in pratica è limitata dalle resistenze e induttanze del resto del circuito.

È invece più probabile che in certi casi questi picchi di assorbimento sull'alimentazione possano dare fastidio (ad esempio "mandare in tilt" dei circuiti logici), per cui sull'alimentazione, nelle vicinanze del punto in cui possono esserci questi brevi e intensi assorbimenti, si collega un ulteriore "condensatore serbatoio".
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[14] Re: Pilotaggio transistor e mosfet

Messaggioda Foto UtentemPol » 1 giu 2022, 21:50

djnz ha scritto:Mi aspettavo qualche considerazione sullo spunto iniziale, ero indeciso se lasciare una resistenza in serie allo zener (o al gate) per "evitare confusione", e invece mi fa piacere che sia arrivata.

A volte ci arrivo :D , a volte no ||O
La formula di calcolo dell'energia è chiarissima anche a me che non sono addetto ai lavori come voi...
djnz ha scritto:oltre al fatto che la corrente, seppur teoricamente infinita all'istante iniziale, in pratica è limitata dalle resistenze e induttanze del resto del circuito.

Ottima osservazione pragmatica...
djnz ha scritto:È invece più probabile che in certi casi questi picchi di assorbimento sull'alimentazione possano dare fastidio (ad esempio "mandare in tilt" dei circuiti logici), per cui sull'alimentazione, nelle vicinanze del punto in cui possono esserci questi brevi e intensi assorbimenti, si collega un ulteriore "condensatore serbatoio".

Io metto SEMPRE gli X7R 100nF nell'immediata vicinanza dei pin di VCC di IC ed eventuali MCU quando "progetto" i miei banali circuiti. In giro ho letto, e compreso, che NON sono opzionali a differenza di quanto i più sdoganano come NON indispensabili. Secondo me sono fondamentali per la soppressione/attenuazione del rumore dell'alimentazione di quest'ultimi per quanto possibile (poi per quel che costano i ceramici considerando che solitamente vado di SMD). Ma il tuo reply sembra più indicare gli elettrolitici (low ESR) o tantallio, o sbaglio?
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[15] Re: Pilotaggio transistor e mosfet

Messaggioda Foto Utentedjnz » 2 giu 2022, 20:51

mPol ha scritto:il tuo reply sembra più indicare gli elettrolitici (low ESR) o tantallio

Se sono assorbimenti così elevati da richiederli si. Sul lato drain ci possono essere correnti molto più elevate.

Per i tantalio non so, hanno avuto una cattiva nomea già dai tempi della scuola e in trent'anni ne ho usato uno solo... sul reset di una CPU e solo perché era più bello da vedere (:OO:)
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[16] Re: Pilotaggio transistor e mosfet

Messaggioda Foto Utentestefanopc » 2 giu 2022, 22:19

Io uso solo tantalio se riesco per i piccoli valori intorno a 1 - 22 uF 25V massimi.
La nomea pessima era riferita al componente di generazione precedente che non è più in produzione da svariate decine di anni.
Quelli classici a "goccia" sono ottimi e poi in versione SMD ce ne sono di altrettanto affidabili.
Sulle piastre che devono durare e sopportare condizioni gravose non montano che tantalio e ceramici.
Ciao
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