mPol ha scritto:La corrente iniziale per caricare il gate del mosfet potrebbe essere eccessiva per lo zener e alla lunga lo ditruggerebbe. Penso, forse sbagliando, che il gate appena chiuso il contatto cercherebbe di tirare quanta più corrente possibile per caricare Qg e solo dopo la corrente verrebbe limitata dalla resistenza tra gate e source. Sbaglio?
Non sbagli, il ragionamento in sè è corretto.
Però le grandezze in gioco sono tali da non essere un problema reale.
Prima di tutto i diodi zener (che sopra i 5.6 V in realtà non sono diodi zener ma diodi ad effetto valanga) sono costruiti per lavorare in breakdown, possono starci indefinitamente e non subiscono danni.
Poi, la corrente non ripetitiva impulsiva per un comune diodo zener da 12 V THT è dalle parti delle 6 A durante 0.1 ms. Quel mosfet ha circa 2 nF di capacità di ingresso.
6 A porterebbero 2 nF a 300 kV nel giro di 0.1 ms. Questo per darti un'idea delle grandezze in gioco.
Quanto sia l'effettiva corrente di picco è praticamente impossibile da dire perché dipende da molti elementi parassiti del circuito che non ci sono noti. Però sappiamo che sarà estremamente breve e non sufficiente a causare un danno termico al diodo.
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