Lo sapevo che sarebbe stata un'ardua impresa ...

... comunque ho provato a sostituire i due modelli con questi
della ON Semiconductor, più recenti e probabilmente più vicini a quelli dei transistori di
davidde.
Come si vede dai parametri,
"un 2N3906 del 1995" non è uguale ad
"un 2N3906 del 2004" ... come per la
"barbera" insomma ...
l'annata è determinante !
http://www.onsemi.com/PowerSolutions/supportDoc.do.MODEL 2n3906 pnp
+IS=7.75521e-12 BF=194.093 NF=1.35509 VAF=156.436
+IKF=0.0660057 ISE=1.88546e-12 NE=1.81673 BR=3.41317
+NR=1.5 var=5.86061 IKR=1.70599 ISC=7.64281e-10
+NC=1.92376 RB=6.48961 IRB=0.1 RBM=0.1
+RE=0.0001 RC=2.45044 XTB=0.1 XTI=1
+EG=1.05 CJE=6.11928e-12 VJE=0.4 MJE=0.248812
+TF=5.21843e-10 XTF=0.932702 VTF=9.1046 ITF=0.0106472
+CJC=6.85007e-12 VJC=0.4 MJC=0.279018 XCJC=0.9
+FC=0.478887 CJS=0 VJS=0.75 MJS=0.5
+TR=4.30605e-07 PTF=0 KF=0 AF=1
.MODEL 2n3904 npn
+IS=1.26532e-10 BF=206.302 NF=1.5 VAF=1000
+IKF=0.0272221 ISE=2.30771e-09 NE=3.31052 BR=20.6302
+NR=2.89609 var=9.39809 IKR=0.272221 ISC=2.30771e-09
+NC=1.9876 RB=5.8376 IRB=50.3624 RBM=0.634251
+RE=0.0001 RC=2.65711 XTB=0.1 XTI=1
+EG=1.05 CJE=4.64214e-12 VJE=0.4 MJE=0.256227
+TF=4.19578e-10 XTF=0.906167 VTF=8.75418 ITF=0.0105823
+CJC=3.76961e-12 VJC=0.4 MJC=0.238109 XCJC=0.8
+FC=0.512134 CJS=0 VJS=0.75 MJS=0.5
+TR=6.82023e-08 PTF=0 KF=0 AF=1
e ritoccato,
nei limiti della decenza, il circuito per ridurre le evitabili differenze fra i componenti usati; in questo modo tentiamo di metterci sulla stessa linea di partenza

- sim001b.png (4.08 KiB) Osservato 5215 volte
con una frequenza di 59 Hz e ampiezza impulso di 31 us

- sim002b.png (4.02 KiB) Osservato 5216 volte
A questo punto i risultati della simulazione e quelli della misura di
davidde possono essere considerati "accettabilmente" compatibili
