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Dubbi caratteristiche Transistor BJT

Elettronica lineare e digitale: didattica ed applicazioni

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[1] Dubbi caratteristiche Transistor BJT

Messaggioda Foto UtenteArnaldo93 » 6 mag 2015, 16:24

Mi sto approcciando da poco allo studio del Transistor BJT e sto facendo molta confusione fra le caratteristiche.

Innanzitutto abbiamo le caratteristiche in cui ogni corrente può essere espressa in funzione della tensione base-emettitore (caratteristica di ingresso), queste sono uguali alla caratteristica del diodo (ogni volta si considera la giunzione).

Abbiamo inoltre le caratteristiche che esprimono la corrente di collettore in funzione della tensione base-collettore.
Questa è una famiglia di caratteristiche perché abbiamo varie curve al variare della tensione emettitore-base (cioè, fissando questa ad un valore preciso, abbiamo una caratteristica unica).
Però, non ho capito perché l'altro parametro che si considera costante in questa famiglia di curve è la corrente di base! Poi, perché nella zona di saturazione la corrente di collettore non è più legata alla corrente di base e si usa il beta forzato e non il beta?

Infine c'è la caratteristica di uscita (i di collettore in funzione della tensione collettore emettitore). Ma perché questa comincia dall'origine a differenza delle caratteristiche ic-vce, bisogna considerare la tensione emettitore-collettore come somma delle altre due?
qual è poi il parametro della caratteristica di uscita che fa variare la curva, vbe o ib?

So che ho chiesto troppe cose, però se riusciste a chiarirmi almeno un poco, ve ne sarei molto grato! Meglio chiarire subito che qualche giorno prima dell'esame!
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[2] Re: Dubbi caratteristiche Transistor BJT

Messaggioda Foto UtenteIsidoroKZ » 6 mag 2015, 21:23

Non ti chiedo di fare un disegno delle curve che stai descrivendo, sarebbe un lavoro lungo. Ma potresti indicare il libro su cui stai studiando, ed eventualmente mettere un link (o caricare sul sito) le curve a cui stai facendo riferimento?

Attualmente le curve statiche dei transistori sono molto meno usate, qualche volta trovi ancora la IC(VCE) con IB come parametro.

Hai gia` fatto il modello di Ebers Moll?
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[3] Re: Dubbi caratteristiche Transistor BJT

Messaggioda Foto UtenteArnaldo93 » 7 mag 2015, 16:44

Allora... il libro da cui sto studiando è il Sedra-Smith (che trovo molto confusionario e a volte poco preciso).
Le curve a cui mi riferisco sono:

Immagine
Questa si ottiene considerando costante Vbe e facendo variare solo Vcb, o sbaglio?
Questa curva l'ho studiata proprio andando a vedere il modello di Ebers-Moll. Infatti in ZAD, la Ic non dipende da Vcb ed è per questo che la Ic appare costante nel grafico (senza considerare la tens. di Early e quindi i ragionamenti non più analitici ma fisici). E, con Ebers-Moll si può vedere analiticamente anche che all'aumentare della Vbc (opposto della Vcb, quindi nella parte negativa del grafico), la Ic diminuisce.

Ma perché in zona di saturazione si considera il Beta forzato?

Immagine
Questa è l'altra famiglia di curve detta caratteristica di uscita.
Non ho capito perché, a differenza della precedente, questa curva è tutta nel primo quadrante. E perché la zona di saturazione quindi comincia per valori comunque positivi di Vce?
Le varie curve si ottengono, come scritto nell'immagine, al variare dei valori di Vbe, ma perché?
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