funzione mediante nmos open drain

[tidusquall17]

Salve, volevo avere alcune spiegazioni sul seguente esercizio:
Avendo a disposizione dispositivi nmos con Kn=300uA/V, Vtn=1V, alimentazione Vdd=5V, si vuole implementare la funzione Y= mediante una porta NMOS open drain che risulta idonea al pilotaggio di un carico che assorbe 0.1mA per ingresso alto ed eroga 1mA per ingresso basso.
Dimensionare la rete in modo da garantire un livello logico alto di almeno 3.5V e uno basso non superiore a 0.2V.
Affinchè l'uscita sia alta, le uscite dei MOS devono essere alte, quindi il loro ingresso basso, e quindi la rete di Pull down con i MOS, è spenta. Ho calcolato cosi la resistenza di carico: che mi è venuta 15k ohm.
Vado ora a lavorare sull'uscita bassa:
in questo caso i MOS sono in funzione e in particolar modo lavorano in regione lineare.

Non mi è ben chiaro se devo calcolare anche in questo caso la resistenza di carico, in modo tale da avere un range di valori della resistenza, che mi garantiscano le specifiche di progetto per uscita alta e bassa della porta.
Inoltre, mi è stato accettano anche al dover calcolare in numero di integrati da mettere in parallelo alla rete di pull down, in modo da rispettare la specifica relativa a Kn, ma questo aspetto non l'ho proprio capito..
qualcuno mi può aiutare?